Nome do produto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB de memória (1rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricante Samsung Electronics País-produtor China Ano / semana de construção 2010/38 Capacidade de dados 2 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) Apresenta 240 pinos, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia de processo de produção 40nm Bits de dados x64 Bancos de módulos internos 8 composição chip de dados [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 salgadinhos […]

Nome do Produto : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Fator de forma : DDR3 SO-DIMM Features : 204PIN, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM tem espaço de memória temporário para E/S de dados mais rápida. É eficaz quando o sistema não pode receber suporte de memória cache. Mas se o sistema tiver memória cache, o efeito da EDO DRAM é pouco. Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Ano de construção / Semana : 1997/32 País de fabricação : Coréia (Coreia do Sul) Número da peça […]

Este SIMM banhado a cor dourada. A cor do chapeamento e a forma da placa deste SIMM é diferente do SIMM com GM71C4400A. GM71C4400B é 1M × 4bit. E GM71C1000B é 1M × 4bit. A capacidade de memória e a função deste SIMM não é diferente do SIMM com GM71C4400A e GM71C1000. Fabricação […]

Goldstar é marca comercial da Goldstar Electron Co., Ltd. Ele mudou seu nome para LG Semiconductor (LG Semicon) no 1995, e foi incorporada à indústria de eletrônicos da Hyundai (Hynix de agora) no 1999. Empresa Fabricante : Goldstar Electron ano de fabricação: 1993 País de fabricação : Recursos do módulo da Coreia do Sul : 30PIN, DRAM, SIMM, RAM de paridade […]