postado por DeviceLog.com | Postado em EDO DRAM | postado em 2013-03-15
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- Fabricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.
- Construir ano : 1994
- País de fabricação : Coreia do Sul
- Número da peça : HYM532100AM-70
- Fator de forma : SIMM
- Tipo de memória : EDO DRAM
- Capacidade de memória : 4MB
- Bus type : Memória de página rápida (FPM)
- Correção de erros : Non-parity
- Pins : 72PIN
- Largura de banda : 32mordeu
- Latência : 70ns (tRAC)
- Voltagem : 5V
- Composição de Chip : [HY514400A J-70] × 8
- Capacidade de um chip : 1M x 4 bits