Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1RX8, China)

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR3 SDRAM | postado em 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Nome do produto Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB de memória (1rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabricante Samsung Electronics País-produtor China Ano / semana de construção 2010/38 Capacidade de dados 2 GB Velocidade do relógio 1333 MHz (PC3-10600) Apresenta 240 pinos, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia de processo de produção 40nm Bits de dados x64 Bancos de módulos internos 8 composição chip de dados [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 salgadinhos […]

Continue lendo

Módulo de cache de sincronização UMC 256KB (Cache de Explosão de Pipeline, Costa)

postado por DeviceLog.com | Postado em SRAM | postado em 2013-01-05

2

Módulo de cache de sincronização UMC 256KB Frontside (Cache de Explosão de Pipeline)

Muitas placas-mãe, CPU pentium inicial suportada, geralmente tinha chips de memória de cache de sincronização como cache L2 da CPU. Este módulo de cache de sincronização(Costa; Cache em uma vara) é um módulo de memória externa usado como cache L2 adicional da CPU. Maximiza a performance do processador enquanto aguarda instruções ou dados. O cache L2 é usado para operar […]

Continue lendo

A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800)

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR SDRAM | postado em 2012-10-25

0

Memória A-DATA Viesta DDR600 Viesta, em módulos de memória DDR SDRAM, primeiro alcançou velocidade de clock de 600Mhz com chips de memória Samsung TCCD. A capacidade de dados do A-data Viesta era de 512 MB ou 256 MB. Foi usado principalmente para ovcrclocking.   Nome do produto A-DATA Vitesta DDR600 512MB Número da peça MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabricante A-DATA País de fabricação Taiwan Build Year 2004 Características 184pin Unbuffer […]

Continue lendo

Samsung 1 MB DRAM 30 pinos SIMM

postado por DeviceLog.com | Postado em DRAM original | postado em 2012-05-18

1

Parte traseira do Samsung 1 MB DRAM SIMM (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 é composto por dois chips KM44C1000AJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 é composto por dois chips KM44C1000BJ-7 e um chip KM44C1000CJ-7. São SIMMs de 1 MB DRAM produzidos pela Samsung Electronics. Empresa Fabricante : Ano de fabricação da Samsung Electronics : 1992 / 1993 País de fabricação : Recursos do módulo da Coreia do Sul : 30PIN, SIMM, Capacidade de memória RAM de paridade […]

Continue lendo

ELPIDA 2 GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

postado por DeviceLog.com | Postado em DDR3 SDRAM | postado em 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 de 2 GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

Nome do Produto : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Fator de forma : DDR3 SO-DIMM Features : 204PIN, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Continue lendo