Nazwa produktu Pamięć EK 2 GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Numer części EKM256S74BP8-E6 Producent EK Pamięć Kraj produkcji Tajwan Rok produkcji chipa / tydzień 2008/27 Typ modułu pamięci DDR2 SO-DIMM 200 pin Pojemność danych 2 GB Prędkość zegara 667 MHz (PC2-5300) Taktowanie pamięci CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 Zawiera 200-pinowy niebuforowany notebook bez ECC(Laptop) Memory Data Bits x64 Data Chip info EK20908A8A-3EG […]

Nazwa produktu Samsung ddr4 16GB 2R x 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) Part Number M378A2K43CB1-CTD (C-) Producent Samsung Electronics Kraj produkcji Chiny Rok budowy / Tydzień 2019 / 06 Typ DIMM UDIMM danych Pojemność 16GB Data Rate (max Bandwidth) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) taktowanie pamięci (CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 Cechy 288pin, unbuffered ECC […]

Nazwa produktu Samsung ddr4 8GB 1R x 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) Part Number M378A1K43CB2-CTD (C-) Producent Samsung Electronics Kraj produkcji Chiny Rok budowy / Tydzień 2018 / 28 Typ DIMM UDIMM danych Pojemność 8GB Data Rate (max Bandwidth) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) taktowanie pamięci (CL – tRCD – TRP – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 Cechy 288pin, unbuffered ECC […]

Nazwa produktu Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 pamięci (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Producent Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji Korea Południowa Rok budowy / tydzień 2011/31 Dane Pojemność 4GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) Taktowanie pamięci CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9 Cechy 240pin, Unbuffer bez ECC DDR3 SDRAM DIMM Bity danych Głębokość 64 / organizacja nieco 512M / x8 Moduł wewnętrzny […]