Nazwa produktu : Samsung SDHC Class 10 Niezbędna nazwa modelu 32 GB : Producent MB-SSBGA/KR : Kraj producenta Samsung Electronics : Typ pamięci Korei Południowej : Rozmiar SDHC : 32mm x 24 mm x 2,1 mm Pojemność danych : 32GB (2923GiB, 29927MiB) Szybkość czytania : max. 24Szybkość zapisu MB/s : max. 13MB/s Dopuszczalne napięcie : 2.7 ~3,6 V […]

Nazwa produktu Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 pamięci (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) Producent Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji Korea Południowa Rok budowy / tydzień 2011/31 Dane Pojemność 4GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) Taktowanie pamięci CL = 9, tRCD = 9, TRP = 9 Cechy 240pin, Unbuffer bez ECC DDR3 SDRAM DIMM Bity danych Głębokość 64 / organizacja nieco 512M / x8 Moduł wewnętrzny […]

Nazwa produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 pamięci 2GB (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Producent Samsung Electronics Kraj produkcji Chiny Rok budowy / tydzień 2010/38 Dane Pojemność 2GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) Cechy 240pin, Unbuffer DDR3 Non-ECC SDRAM DIMM Produkcja proces technologiczny 40nm Bity danych banków 64 Jednostka wewnętrzna 8 Kompozycja układ dane [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 frytki […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, w modułach pamięci DDR SDRAM, po raz pierwszy osiągnięto taktowanie 600 MHz dzięki układom pamięci Samsung TCCD. Pojemność danych A-data Viesta wynosiła 512 MB lub 256 MB. Był używany głównie do overclockingu.   Nazwa produktu A-DATA Vitesta DDR600 512MB Numer części MDOSSLF3H47A0B1G0Z Producent A-DATA Kraj produkcji Tajwan Rok produkcji 2004 Zawiera 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000AJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000BJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. Są to moduły SIMM DRAM 1 MB produkowane przez Samsung Electronics. Firma produkcyjna : Rok produkcji Samsung Electronics : 1992 / 1993 Kraj produkcji : Funkcje modułu w Korei Południowej : 30kołek, SIMM, Parzystość pamięci RAM […]