Samsung Electronics wydany moduły DDR3 SDRAM przy użyciu technologii 30nm procesu w lipcu 2010. Moduł pamięci RAM został dokonany dzięki technologii procesowej 40nm. Nazwa produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Producent Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji Chiny Rok budowy / tydzień 2011/13 Dane Pojemność 4GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) taktowanie pamięci […]

Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy : 1994 Kraj produkcji : Numer części Korei Południowej : HYM532100AM-70 Form Factor : Typ pamięci SIMM : Pojemność pamięci EDO DRAM : 4Typ magistrali MB : Szybka pamięć stron (FPM) Korekcja błędów : Kołki bez parytetu : 72pin Przepustowość : 32nieco opóźnienie : 70ns (Trac) Napięcie […]

Nazwa produktu : Samsung SDRAM 32MB PC66 Numer części : KMM366S403BTN-G0 Producent : Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji : Korea Południowa Rok produkcji / tydzień : 1997/33 dane Wydajność : 32Szybkość zegara MB : 66Mhz (PC66) cechy : 168kołek, Skład układu scalonego danych niebuforowanej pamięci SDRAM DIMM bez ECC : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 chipy VDD : 3.3V

Nazwa produktu : Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM (nieoryginalne części) Numer części : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC Producent : Samsung Electronics (SEC) Kraj produkcji : Korea Południowa Rok produkcji / tydzień : 2003/33 dane Wydajność : 512Szybkość zegara MB : 400Mhz (PC3200) cechy : 184kołek, Niebuforowana pamięć DDR SDRAM DIMM bez ECC Skład układu danych : [SEK K4H560838E-BNG] ✕ 8 chipy danych […]

Nazwa produktu : EKmemory DDR3 SDRAM 2 GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 producenta : EKmemory Kraj produkcji : Korea Południowa Dane Wydajność : 2szybkość zegara GB : 1333Mhz (PC3-10600) cechy : 240kołek, Kompozycja układ Unbuffer dla ECC DDR3 danych SDRAM DIMM : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 Napięcie wióry VDD : 1.5V strona główna : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&NO = 91