Producent : LG Semicon Co., Sp. z o.o. Kraj produkcji : Numer części Korei Południowej : ? Form Factor : Funkcje SIMM : 72kołek, EDO DRAM, Pojemność pamięci bez parzystości : 16Przepustowość MB : 32prędkość bitowa : 60ns(Trac) Napięcie : 5Skład V Chipa : GM71C17400CJ6 × 8 Rok/tydzień budowy chipów : 1998/27 One Chip Pojemność : 4M […]

Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy : 1994 Kraj produkcji : Numer części Korei Południowej : HYM532100AM-70 Form Factor : Typ pamięci SIMM : Pojemność pamięci EDO DRAM : 4Typ magistrali MB : Szybka pamięć stron (FPM) Korekcja błędów : Kołki bez parytetu : 72pin Przepustowość : 32nieco opóźnienie : 70ns (Trac) Napięcie […]

KMM591000AN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000AJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000BJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. Są to moduły SIMM DRAM 1 MB produkowane przez Samsung Electronics. Firma produkcyjna : Rok produkcji Samsung Electronics : 1992 / 1993 Kraj produkcji : Funkcje modułu w Korei Południowej : 30kołek, SIMM, Parzystość pamięci RAM […]

EDO DRAM ma tymczasowej pamięci na szybsze danych I / O. Jest skuteczny, gdy system nie może otrzymać wsparcie pamięci podręcznej. Ale jeśli system jest wyposażony w pamięć cache, efekt EDO DRAM jest mało. Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy / tydzień : 1997/32 Kraj produkcji : Korea (Korea Południowa) Numer części […]