Nazwa produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 pamięci 2GB (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Producent Samsung Electronics Kraj produkcji Chiny Rok budowy / tydzień 2010/38 Dane Pojemność 2GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) Cechy 240pin, Unbuffer DDR3 Non-ECC SDRAM DIMM Produkcja proces technologiczny 40nm Bity danych banków 64 Jednostka wewnętrzna 8 Kompozycja układ dane [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 frytki […]

wiele płyt głównych, obsługiwane wcześnie Pentium, Zwykle miał żetony synchronizacji pamięci cache L2 jak cache CPU. Ten moduł synchronizacji cache(Wybrzeże; Cache na patyku) jest zewnętrzny moduł pamięci stosowany jako dodatkowy CPU cache L2. To maksymalizuje osiągów procesora podczas gdy procesor czeka na instrukcje lub dane. Pamięć podręczna L2 jest używany do obsługi […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, w modułach pamięci DDR SDRAM, po raz pierwszy osiągnięto taktowanie 600 MHz dzięki układom pamięci Samsung TCCD. Pojemność danych A-data Viesta wynosiła 512 MB lub 256 MB. Był używany głównie do overclockingu.   Nazwa produktu A-DATA Vitesta DDR600 512MB Numer części MDOSSLF3H47A0B1G0Z Producent A-DATA Kraj produkcji Tajwan Rok produkcji 2004 Zawiera 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000AJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000BJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. Są to moduły SIMM DRAM 1 MB produkowane przez Samsung Electronics. Firma produkcyjna : Rok produkcji Samsung Electronics : 1992 / 1993 Kraj produkcji : Funkcje modułu w Korei Południowej : 30kołek, SIMM, Parzystość pamięci RAM […]

Nazwa produktu : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Numer części : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Producent : ELPIDA Kraj producenta : Tajwan Rok / tydzień produkcji : 2010/38 Form Factor : Funkcje DDR3 SO-DIMM : 204kołek, Pojemność pamięci bez ECC : 2Maksymalna szybkość transmisji danych GB : 1333Napięcie Mbps : 1.5V Organizacja : 256Słowa mx 64 bity, 2 rangi Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]