Nazwa produktu Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 pamięci 2GB (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Producent Samsung Electronics Kraj produkcji Chiny Rok budowy / tydzień 2010/38 Dane Pojemność 2GB taktowania 1333 MHz (PC3-10600) Cechy 240pin, Unbuffer DDR3 Non-ECC SDRAM DIMM Produkcja proces technologiczny 40nm Bity danych banków 64 Jednostka wewnętrzna 8 Kompozycja układ dane [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 frytki […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, w modułach pamięci DDR SDRAM, po raz pierwszy osiągnięto taktowanie 600 MHz dzięki układom pamięci Samsung TCCD. Pojemność danych A-data Viesta wynosiła 512 MB lub 256 MB. Był używany głównie do overclockingu.   Nazwa produktu A-DATA Vitesta DDR600 512MB Numer części MDOSSLF3H47A0B1G0Z Producent A-DATA Kraj produkcji Tajwan Rok produkcji 2004 Zawiera 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000AJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 składa się z dwóch układów KM44C1000BJ-7 i jednego układu KM44C1000CJ-7. Są to moduły SIMM DRAM 1 MB produkowane przez Samsung Electronics. Firma produkcyjna : Rok produkcji Samsung Electronics : 1992 / 1993 Kraj produkcji : Funkcje modułu w Korei Południowej : 30kołek, SIMM, Parzystość pamięci RAM […]

Nazwa produktu : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Numer części : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Producent : ELPIDA Kraj producenta : Tajwan Rok / tydzień produkcji : 2010/38 Form Factor : Funkcje DDR3 SO-DIMM : 204kołek, Pojemność pamięci bez ECC : 2Maksymalna szybkość transmisji danych GB : 1333Napięcie Mbps : 1.5V Organizacja : 256Słowa mx 64 bity, 2 rangi Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ma tymczasowej pamięci na szybsze danych I / O. Jest skuteczny, gdy system nie może otrzymać wsparcie pamięci podręcznej. Ale jeśli system jest wyposażony w pamięć cache, efekt EDO DRAM jest mało. Producent : Hyundai Electronics Industries Co., Sp. z o.o. Rok budowy / tydzień : 1997/32 Kraj produkcji : Korea (Korea Południowa) Numer części […]