Productnaam Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB geheugen (1rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabrikant Samsung Electronics Land van fabricage China Bouwjaar / week 2010/38 Datacapaciteit 2GB Kloksnelheid 1333Mhz (PC3-10600) Voorzien van 240pin, Unbuffer Niet-ECC DDR3 SDRAM DIMM Productieprocestechnologie 40 nm Databits x64 Interne modulebanken 8 Datachip samenstelling [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chips […]

veel moederborden, ondersteund vroege pentium CPU, meestal had sync cache-geheugen chips zoals CPU L2-cache. Dit sync cache module(Kust; Cache op een Stok) wordt extern geheugen module gebruikt als extra CPU L2-cache. Het maximaliseert de prestatie van de processor, terwijl de processor wacht op instructies of data. L2-cache wordt gebruikt voor bediening […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta-geheugen, in DDR SDRAM-geheugenmodules, bereikte ten eerste 600Mhz kloksnelheid met Samsung TCCD-geheugenchips. De datacapaciteit van A-data Viesta was 512 MB of 256 MB. Het werd voornamelijk gebruikt voor ovclocking.   Productnaam A-DATA Vitesta DDR600 512 MB Onderdeelnummer MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabrikant A-DATA Land van fabricage Taiwan Bouwjaar 2004 Functies 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 bestaat uit twee KM44C1000AJ-7-chips en een KM44C1000CJ-7-chip. KMM591000BN-7 is samengesteld met twee KM44C1000BJ-7-chips en één KM44C1000CJ-7-chip. Het zijn 1MB DRAM SIMM's van Samsung Electronics. Productiebedrijf : Samsung Electronics Bouwjaar : 1992 / 1993 Land van fabricage : Functies van Zuid-Korea Module : 30pin, SIMM, Pariteit RAM-geheugencapaciteit […]

productnaam : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Onderdeelnummer : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabrikant : ELPIDA Land van fabricage : Bouwjaar / -week in Taiwan : 2010/38 Vormfactor : DDR3 SO-DIMM-functies : 204pin, Niet-ECC-geheugencapaciteit : 2GB Max. Gegevenssnelheid : 1333Mbps Spanning : 1.5V Organisatie : 256M woorden × 64 stukjes, 2 rangschikt de chipsamenstelling : J1108BFBG-DJ-F […]