Productnaam Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB geheugen (1rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Fabrikant Samsung Electronics Land van fabricage China Bouwjaar / week 2010/38 Datacapaciteit 2GB Kloksnelheid 1333Mhz (PC3-10600) Voorzien van 240pin, Unbuffer Niet-ECC DDR3 SDRAM DIMM Productieprocestechnologie 40 nm Databits x64 Interne modulebanken 8 Datachip samenstelling [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 chips […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta-geheugen, in DDR SDRAM-geheugenmodules, bereikte ten eerste 600Mhz kloksnelheid met Samsung TCCD-geheugenchips. De datacapaciteit van A-data Viesta was 512 MB of 256 MB. Het werd voornamelijk gebruikt voor ovclocking.   Productnaam A-DATA Vitesta DDR600 512 MB Onderdeelnummer MDOSSLF3H47A0B1G0Z Fabrikant A-DATA Land van fabricage Taiwan Bouwjaar 2004 Functies 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 bestaat uit twee KM44C1000AJ-7-chips en een KM44C1000CJ-7-chip. KMM591000BN-7 is samengesteld met twee KM44C1000BJ-7-chips en één KM44C1000CJ-7-chip. Het zijn 1MB DRAM SIMM's van Samsung Electronics. Productiebedrijf : Samsung Electronics Bouwjaar : 1992 / 1993 Land van fabricage : Functies van Zuid-Korea Module : 30pin, SIMM, Pariteit RAM-geheugencapaciteit […]

productnaam : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Onderdeelnummer : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Fabrikant : ELPIDA Land van fabricage : Bouwjaar / -week in Taiwan : 2010/38 Vormfactor : DDR3 SO-DIMM-functies : 204pin, Niet-ECC-geheugencapaciteit : 2GB Max. Gegevenssnelheid : 1333Mbps Spanning : 1.5V Organisatie : 256M woorden × 64 stukjes, 2 rangschikt de chipsamenstelling : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM heeft tijdelijke geheugenruimte voor snellere data-I / O. Het is effectief wanneer het systeem geen ondersteuning voor cachegeheugen kan ontvangen. Maar als het systeem cachegeheugen heeft, het effect van EDO DRAM is klein. Fabrikant : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Build Jaar / Week : 1997/32 Land van fabricage : Korea (Zuid-Korea) Onderdeel nummer […]