उत्पादन नाम : सैमसंग 1mb एमबीराम एसडीराम 1b ्ग्रेन पृष्ठ 666 भाग नम्बर : KMM36666666666603cel-g0 निर्माता : सामसु Englt ्ग इलेक्ट्रोनिक्स कं, लि. (SEC) उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया निर्माण वर्ष/हप्ता : 1998/09 डाटा क्षमता : 16MB घडी गति : 66Mhz (PC66) विशेषताहरु : 168 पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC SDRAM DIMM डेटा चिप संरचना : [KM48S2020T-g10] × 8 चिप्स (2M […]

उत्पादन नाम : LG SDRMAR MPMB BC66 भाग नम्बर : GMM264223345bltg-10k 7101s निर्माता : LG Semicon Co., लि. उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया निर्माण वर्ष/हप्ता : 1997/03 डाटा क्षमता : 16MB घडी गति : 66Mhz (PC66) विशेषताहरु : 168पिन, अनबफर गरिएको गैर-ECC SDRAM DIMM डेटा चिप संरचना : [GM72V1682121BT10K] × 8 चिप्स (2M × 64barit) एक […]

निर्माता : LG Semicon Co., लि. उत्पादन को देश : दक्षिण कोरिया भाग नम्बर : ? फारम कारक : सिम सुविधाहरू : 72पिन, EDO DRAM, गैर-विनिटी मेमोरी क्षमता क्षमता : 16MB ब्यान्डविथथ : 32अलि छिटो : 60एनएस(trAC) भोल्टेज : 5V चिप संरचना : GM71C17400CJ6 × 8 चिप निर्माण वर्ष / हप्ता : 1998/27 एक चिप क्षमता : 4M […]

EDO DRAM सँग छिटो डाटा I/O को लागि अस्थायी मेमोरी स्पेस छ. यो प्रभावकारी हुन्छ जब प्रणालीले क्यास मेमोरी समर्थन प्राप्त गर्न सक्दैन. तर यदि प्रणालीमा क्यास मेमोरी छ, EDO DRAM को प्रभाव थोरै छ. निर्माता : हुन्डाई इलेक्ट्रोनिक्स उद्योग क., लि. निर्माण वर्ष/हप्ता : 1997/32 उत्पादन को देश : कोरिया (दक्षिण कोरिया) भाग नम्बर […]