Pengilang : LG Semicon Co., Ltd.. Negara pembuatan : Nombor Bahagian Korea Selatan : ? Faktor Bentuk : Ciri-ciri SIMM : 72sematkan, DRAM EDO, Kapasiti Ingatan Bukan Pariti : 16Lebar Jalur MB : 32sedikit Kelajuan : 60NS(tRAC) voltan : 5Komposisi Cip V : GM71C17400CJ6 × 8 Cip Tahun/Minggu Binaan : 1998/27 Kapasiti Satu Cip : 4M […]

Pengilang : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Tahun Binaan : 1994 Negara pembuatan : Nombor Bahagian Korea Selatan : HYM532100AM-70 Faktor Bentuk : Jenis memori SIMM : Kapasiti Memori EDO DRAM : 4Jenis Bas MB : Memori Halaman Pantas (FPM) Pembetulan kesilapan : Pin bukan pariti : 72pin Lebar jalur : 32sedikit Latensi : 70NS (tRAC) voltan […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Syarikat pembuatan : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Negara pembuatan : Ciri Modul Korea Selatan : 30sematkan, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM mempunyai ruang memori sementara untuk I/O data yang lebih pantas. Ia berkesan apabila sistem tidak dapat menerima sokongan memori cache. Tetapi jika sistem mempunyai memori cache, kesan EDO DRAM adalah sedikit. Pengilang : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd.. Bina Tahun / Minggu : 1997/32 Negara pembuatan : Korea (Korea Selatan) Nombor Bahagian […]