Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Dihantar oleh DeviceLog.com | Dihantar dalam DRAM EDO | Dihantar pada 2011-08-04

1

EDO DRAM mempunyai ruang memori sementara untuk I/O data yang lebih pantas. Ia berkesan apabila sistem tidak dapat menerima sokongan memori cache. Tetapi jika sistem mempunyai memori cache, kesan EDO DRAM adalah sedikit.

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Frontside)

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HYM532414 (Backside)

  • Pengilang : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd..
  • Bina Tahun / Minggu : 1997/32
  • Negara pembuatan : Korea (Korea Selatan)
  • Nombor Bahagian : HYM532414 BM-60
  • Faktor Bentuk : SIMM
  • ciri-ciri : 72sematkan, DRAM EDO, Non-Pariti
  • Kapasiti Ingatan : 16MB
  • Bandwidth : 32sedikit
  • Kelajuan : 60NS(tRAC)
  • voltan : 5V
  • Komposisi Cip : HY5117404B(J-60) × 8
  • Kapasiti Satu Cip : 4M x 4bit

Catatan berkaitan:

LGS GM71C17400CJ6 16MB EDO-DRAM SIMM bahagian hadapanLG Semicon 16MB EDO-DRAM 72pin SIMM (GM71C17400CJ6) Hyundai 4MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532100AM-70) SIMM 1MB Hyundai 30-pin (HY514400A × 2 + HT531000A)SIMM Hyundai 1MB DRAM 30pin Bahagian belakang Samsung 1MB DRAM SIMM (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)SIMM Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM DRAM Goldstar 30pin 1MB (GM71C4400A + GMC71C1000) (bahagian depan)SIMM DRAM Goldstar 1MB 30pin (GM71C4400A + GMC71C1000) SIMM DRAM Goldstar 30pin 1MB (GM71C4400B + GMC71C1000B) (bahagian depan)SIMM DRAM Goldstar 1MB 30pin (GM71C4400B + GMC71C1000B) EKmemory 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (2Rx8) Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM Memori EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6Memori EK 2GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 LG Semicon 16MB SDRAM DIMM PC66 (GMM2642233BLTG-10K 7101S)
Teg:, , , , , , , , , , , , , ,

Komen (1)

carlos berkata pada 2022-02-19

foi dificil de encontrar

Balas

Tulis komen