Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Үйлдвэрлэгч Samsung Electronics Үйлдвэрлэгч улс Хятад Барилга жил/долоо хоног 2010/38 Өгөгдлийн багтаамж 2 ГБ Цагийн хурд 1333 МГц (PC3-10600) Онцлогууд 240 pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Үйлдвэрлэлийн процессын технологи 40nm Data бит x64 Internal Module banks 8 Өгөгдлийн чипийн найрлага [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипс […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, in DDR SDRAM memory modules, firstly achieved 600Mhz clock speed with Samsung TCCD memory chips. The data capacity of A-data Viesta was 512MB or 256MB. It was mostly used for ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 нь хоёр KM44C1000AJ-7 чип, нэг KM44C1000CJ-7 чипээс бүрдэнэ.. KMM591000BN-7 нь хоёр KM44C1000BJ-7 чип, нэг KM44C1000CJ-7 чипээс бүрдэнэ.. Эдгээр нь Samsung Electronics-ийн үйлдвэрлэсэн 1MB DRAM SIMM юм. Үйлдвэрлэлийн компани : Samsung Electronics үйлдвэрлэсэн жил : 1992 / 1993 Үйлдвэрлэсэн улс : Өмнөд Солонгосын модулийн онцлог : 30зүү, SIMM, Паритет RAM санах ойн багтаамж […]

Бүтээгдэхүүний нэр : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Features : 204зүү, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM нь өгөгдөл оруулах/гаралтыг хурдасгах түр санах ойтой. Энэ нь систем кэш санах ойн дэмжлэг авах боломжгүй үед үр дүнтэй байдаг. Гэхдээ системд кэш санах ой байгаа бол, EDO DRAM-ийн нөлөө бага байна. Үйлдвэрлэгч : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Барилгын жил/долоо хоног : 1997/32 Үйлдвэрлэсэн улс : Солонгос (Өмнөд Солонгос) Хэсгийн дугаар […]