Samsung 2 GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Кина)

Објавено од УредиLog.com | Објавено во DDR3 SDRAM | Објавено на 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Капацитет на податоци 2 GB Брзина на часовник 1333 Mhz (PC3-10600) Се одликува со 240 пински, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Технологија на процесот на производство 40nm Битови за податоци x64 Внатрешни банки на модул 8 Состав на чип на податоци [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипови […]

Продолжи да читаш

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Објавено од УредиLog.com | Објавено во DDR3 SDRAM | Објавено на 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Фронзид

Име на производ : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Фактор на форма : DDR3 SO-DIMM Features : 204пин, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256М зборови 64 битови, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Продолжи да читаш

Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM (HYM532414)

Објавено од УредиLog.com | Објавено во ЕДО ДРАМ | Објавено на 2011-08-04

1

Hyundai 72pin 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Предната страна)

EDO DRAM има привремен мемориски простор за побрзи I / O податоци. Ефикасно е кога системот не може да добие поддршка за мемориска меморија. Но, ако системот има кеш меморија, ефектот на ЕДО ДРАМ е мал. Производител : Компанија Hyundai Electronics Industries Co., Рибар. Изградба на година / недела : 1997/32 Земја на производство : Кореја (Јужна Кореа) Број на дел […]

Продолжи да читаш

Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B)

Објавено од УредиLog.com | Објавено во Оригинална DRAM | Објавено на 2011-08-02

0

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400B + GMC71C1000B) (предната страна)

Оваа SIMM позлатена со златна боја. Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM. GM71C4400B е 1M × 4bit. И GM71C1000B е 1M × 4bit. Меморискиот капацитет и функцијата на оваа SIMM не се разликуваат од SIMM со GM71C4400A и GM71C1000. Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM […]

Продолжи да читаш

Goldstar 1MB DRAM 30pin SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000)

Објавено од УредиLog.com | Објавено во Оригинална DRAM | Објавено на 2011-08-02

2

Goldstar 30pin 1MB DRAM SIMM (GM71C4400A + GMC71C1000) (предната страна)

Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM, Рибар. Го промени своето име во LG Semiconductor (Го промени своето име во LG Semiconductor) Го промени своето име во LG Semiconductor 1995, Го промени своето име во LG Semiconductor (Го промени своето име во LG Semiconductor) Го промени своето име во LG Semiconductor 1999. Компанија за производство : Го промени своето име во LG Semiconductor: 1993 Земја на производство : Постојана врска до Hyundai 4MB EDO DRAM 72 пински SIMM : 30пин, ДРАМ, СИММ, Паритетска RAM меморија […]

Продолжи да читаш