Ražotājs : Hyundai Electronics Industries Co., SIA. Būvēšanas gads : 1994 Ražošanas valsts : Dienvidkorejas daļas numurs : HYM532100AM-70 formas faktors : SIMM atmiņas veids : EDO DRAM atmiņas ietilpība : 4MB kopnes tips : Ātra lappušu atmiņa (FPM) Kļūdu labošana : Neparitātes piespraudes : 72pin Joslas platums : 32bitu latentums : 70ns (tRAC) spriegums […]

Produkta nosaukums : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 Manufacturer : EKmemory Country of manufacture : South Korea Data Capacity : 2GB Clock speed : 1333Mhz (PC3-10600) Iespējas : 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Data chip composition : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chips VDD voltage : 1.5V Homepage : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=dram&no=91

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Ražošanas valsts : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM ir pagaidu atmiņas vieta ātrākai datu ievadei/izvadei. Tas ir efektīvs, ja sistēma nevar saņemt kešatmiņas atbalstu. Bet, ja sistēmai ir kešatmiņa, EDO DRAM efekts ir mazs. Ražotājs : Hyundai Electronics Industries Co., SIA. Būvēšanas gads/nedēļa : 1997/32 Ražošanas valsts : Koreja (Dienvidkoreja) Daļas numurs […]

This RAM is 30-pin 1MB SIMM produced by Hyundai Electronics industry(Hynix of now). 30-pin SIMMs were used universally from 80286 to 80486. If the number of chips is odd number, one of the chips perform parity check. This RAM is composed of two HY514400A(1M x 4 biti) and one HY531000A(1M x 1bit). The memory capacity of […]