Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz (1Rx8, Ķīna)

Ievietoja DeviceLog.com | Ievietots DDR3 SDRAM | Publicēts 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Datu mikroshēmas sastāvs [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 čipsi […]

Turpināt lasīt

A-DATA Vitesta 512MB DDR600 DIMM (PC4800)

Ievietoja DeviceLog.com | Ievietots DDR SDRAM | Publicēts 2012-10-25

0

A-DATA Viesta DDR600 Viesta Atmiņa, DDR SDRAM atmiņas moduļos, vispirms sasniedza 600Mhz takts frekvenci ar Samsung TCCD atmiņas mikroshēmām. A-data Viesta datu ietilpība bija 512 MB vai 256 MB. To galvenokārt izmantoja ovcrclocking.   Produkta nosaukums A-DATA Vitesta DDR600 512MB daļas numurs MDOSSLF3H47A0B1G0Z Ražotājs A-DATA Ražotājvalsts Taivāna Izgatavošanas gads 2004 Ietver 184pin Unbuffer […]

Turpināt lasīt

Samsung 1 MB DRAM 30 kontaktu SIMM

Ievietoja DeviceLog.com | Ievietots Oriģinālā DRAM | Publicēts 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM aizmugure (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Ražošanas valsts : South Korea Module Features : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Turpināt lasīt

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

Ievietoja DeviceLog.com | Ievietots DDR3 SDRAM | Publicēts 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 priekšpuse

Produkta nosaukums : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Formas faktors : DDR3 SO-DIMM Features : 204pin, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Turpināt lasīt

Hyundai 16 MB EDO DRAM 72 kontaktu SIMM (HYM532414)

Ievietoja DeviceLog.com | Ievietots EDO DRAM | Publicēts 2011-08-04

1

Hyundai 72 kontaktu 16 MB DRAM SIMM HY5117404B (Priekšējā puse)

EDO DRAM ir pagaidu atmiņas vieta ātrākai datu ievadei/izvadei. Tas ir efektīvs, ja sistēma nevar saņemt kešatmiņas atbalstu. Bet, ja sistēmai ir kešatmiņa, EDO DRAM efekts ir mazs. Ražotājs : Hyundai Electronics Industries Co., SIA. Būvēšanas gads/nedēļa : 1997/32 Ražošanas valsts : Koreja (Dienvidkoreja) Daļas numurs […]

Turpināt lasīt