Gamintojas : LG Semicon Co., Ltd. Gamybos šalis : Pietų Korėjos dalies numeris : ? Formos koeficientas : SIMM funkcijos : 72smeigtukas, EDO DRAMAS, Neparitetinės atminties talpa : 16MB dažnių juostos plotis : 32bitas Greitis : 60ns(tRAC) Įtampa : 5V lusto sudėtis : GM71C17400CJ6 × 8 Lustų kūrimo metai/savaitė : 1998/27 Vieno lusto talpa : 4M […]

Produkto pavadinimas EK atmintis 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Dalies numeris EKM256S74BP8-E6 Gamintojas EK atmintis Gamybos šalis Taivanas Chip Sukūrimo metai/savaitė 2008/27 Atminties modulio tipas DDR2 SO-DIMM 200 pin Duomenų talpa 2GB Laikrodžio greitis 667Mhz (PC2-5300) Atminties laikas CL=5, tRCD=5, tRP=5 Pasižymi 200 kontaktų nebuferiniu ne ECC nešiojamuoju kompiuteriu(Nešiojamas kompiuteris) Atminties duomenų bitai x64 duomenų lusto informacija EK20908A8A-3EG […]

Produkto pavadinimas Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2Rx8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Gamintojas Samsung Electronics Gamybos šalis Filipinai Gamybos metai/savaitė 2014/08 Duomenų talpa 8GB Laikrodžio dažnis 1600Mhz (PC3-12800) Atminties laikas CL=11, tRCD=11, tRP=11 Savybės 240 kontaktų, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Gamybos proceso technologija 20, 30, 40nm duomenų bitai x64 vidinių modulių bankai 8 Gretos […]

The M368L6423DTM is 32M bit x 64 Double Data Rate(DDR) SDRAM high density memory module based on fifth genernation of 256Mb DDR SDRAM respectively. The M368L6423DTM consists of sixteen CMOS 32M x 8 bit with 4banks Double Data Rate SDRAMs in 66pin TSOP-II(400mil) packages mounted on a 184pin glass-epoxy substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are […]

„Samsung Electronics“ liepą išleido DDR3 SDRAM modulius, naudodama 30 nm proceso technologiją 2010. Šis RAM modulis buvo pagamintas naudojant 40 nm procesų technologiją. Produkto pavadinimas Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2Rx8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) Gamintojas Samsung Electronics (SEK) Gamybos šalis Kinija Gamybos metai/savaitė 2011/13 Duomenų talpa 4GB Laikrodžio greitis 1333Mhz (PC3-10600) Atminties laikas […]