Gamintojas : LG Semicon Co., Ltd. Gamybos šalis : Pietų Korėjos dalies numeris : ? Formos koeficientas : SIMM funkcijos : 72smeigtukas, EDO DRAMAS, Neparitetinės atminties talpa : 16MB dažnių juostos plotis : 32bitas Greitis : 60ns(tRAC) Įtampa : 5V lusto sudėtis : GM71C17400CJ6 × 8 Lustų kūrimo metai/savaitė : 1998/27 Vieno lusto talpa : 4M […]

Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukūrimo metai : 1994 Gamybos šalis : Pietų Korėjos dalies numeris : HYM532100AM-70 formos koeficientas : SIMM atminties tipas : EDO DRAM atminties talpa : 4MB magistralės tipas : Greita puslapio atmintis (FPM) Klaidų taisymas : Neparitetiniai smeigtukai : 72pin Bandwidth : 32bitų delsa : 70ns (tRAC) Įtampa […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Gamybos įmonė : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Gamybos šalis : South Korea Module Features : 30smeigtukas, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM turi laikiną atminties vietą greitesniam duomenų įvesties / išvesties procesui. Tai veiksminga, kai sistema negali gauti talpyklos atminties palaikymo. Bet jei sistemoje yra talpyklos atmintis, EDO DRAM efektas menkas. Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukurkite metus / savaitę : 1997/32 Gamybos šalis : Korėja (Pietų Korėja) Dalies numeris […]