Produkto pavadinimas : Samsung 16MB SDRAM 16MB PC66 Dalies numeris : KMM366S203CTL-G0 Gamintojas : Samsung Electronics Co., Ltd. (SEK) Gamybos šalis : Pietų Korėja Statybos metai/savaitė : 1998/09 Duomenų talpa : 16MB Laikrodžio greitis : 66Mhz (PC66) funkcijos : 168 smeigtukas, Nebuferinis ne ECC SDRAM DIMM duomenų lusto sudėtis : [KM48S2020CT-G10] × 8 traškučiai (2M […]

Produkto pavadinimas : LG SDRAM 16MB PC66 Dalies numeris : GMM2642233BLTG-10K 7101S gamintojas : LG Semicon Co., Ltd. Gamybos šalis : Pietų Korėja Statybos metai/savaitė : 1997/03 Duomenų talpa : 16MB Laikrodžio greitis : 66Mhz (PC66) funkcijos : 168smeigtukas, Nebuferinis ne ECC SDRAM DIMM duomenų lusto sudėtis : [GM72V16821BT10K] × 8 traškučiai (2M × 64 bitai) Vienas […]

Gamintojas : LG Semicon Co., Ltd. Gamybos šalis : Pietų Korėjos dalies numeris : ? Formos koeficientas : SIMM funkcijos : 72smeigtukas, EDO DRAMAS, Neparitetinės atminties talpa : 16MB dažnių juostos plotis : 32bitas Greitis : 60ns(tRAC) Įtampa : 5V lusto sudėtis : GM71C17400CJ6 × 8 Lustų kūrimo metai/savaitė : 1998/27 Vieno lusto talpa : 4M […]

EDO DRAM turi laikiną atminties vietą greitesniam duomenų įvesties / išvesties procesui. Tai veiksminga, kai sistema negali gauti talpyklos atminties palaikymo. Bet jei sistemoje yra talpyklos atmintis, EDO DRAM efektas menkas. Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukurkite metus / savaitę : 1997/32 Gamybos šalis : Korėja (Pietų Korėja) Dalies numeris […]