„Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz“ (1Rx8, Kinija)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR3 SDRAM | Publikuotas 2013-01-09

6

„Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U“-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Prekės pavadinimas Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Gamintojas Samsung Electronics Gamybos šalis Kinija Gamybos metai/savaitė 2010/38 Duomenų talpa 2GB Laikrodžio dažnis 1333Mhz (PC3-10600) Yra 240 kontaktų, Atlaisvinkite buferį Ne ECC DDR3 SDRAM DIMM Gamybos proceso technologija 40 nm duomenų bitai x64 vidinių modulių bankai 8 Duomenų lusto sudėtis [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 traškučiai […]

Skaityti toliau

UMC sinchronizavimo talpyklos modulis 256 KB (Dujotiekio sprogo talpykla, KRANTAS)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta GĖDA | Publikuotas 2013-01-05

2

UMC sinchronizavimo talpyklos modulis 256 KB priekinė dalis (Dujotiekio sprogo talpykla)

Daug pagrindinių plokščių, palaikomas ankstyvas pentium procesorius, paprastai turėjo sinchronizavimo talpyklos atminties lustus kaip CPU L2 talpyklą. Šis sinchronizavimo talpyklos modulis(KRANTAS; Cache On A Stick) yra išorinis atminties modulis, naudojamas kaip papildoma CPU L2 talpykla. Tai maksimaliai padidina procesoriaus našumą, kol procesorius laukia instrukcijų ar duomenų. L2 cache is used for operating […]

Skaityti toliau

A-DUOMENYS „Vitesta 512MB DDR600 DIMM“ (PC4800)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR SDRAM | Publikuotas 2012-10-25

0

A-DATA Viesta DDR600 Viesta atmintis, DDR SDRAM atminties moduliuose, pirmiausia pasiekė 600Mhz taktinį dažnį su Samsung TCCD atminties lustais. „A-data Viesta“ duomenų talpa buvo 512 MB arba 256 MB. Jis dažniausiai buvo naudojamas ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

Skaityti toliau

„Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM“

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta Originalus DRAM | Publikuotas 2012-05-18

1

„Samsung 1MB DRAM SIMM“ užpakalinė dalis (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Gamybos įmonė : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Gamybos šalis : South Korea Module Features : 30smeigtukas, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Skaityti toliau

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR3 SDRAM | Publikuotas 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 priekinė pusė

produkto pavadinimas : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Formos koeficientas : DDR3 SO-DIMM Features : 204smeigtukas, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M žodžiai × 64 bitai, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Skaityti toliau