„Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333Mhz“ (1Rx8, Kinija)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR3 SDRAM | Publikuotas 2013-01-09

6

„Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U“-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

Prekės pavadinimas Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Gamintojas Samsung Electronics Gamybos šalis Kinija Gamybos metai/savaitė 2010/38 Duomenų talpa 2GB Laikrodžio dažnis 1333Mhz (PC3-10600) Yra 240 kontaktų, Atlaisvinkite buferį Ne ECC DDR3 SDRAM DIMM Gamybos proceso technologija 40 nm duomenų bitai x64 vidinių modulių bankai 8 Duomenų lusto sudėtis [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 traškučiai […]

Skaityti toliau

A-DUOMENYS „Vitesta 512MB DDR600 DIMM“ (PC4800)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR SDRAM | Publikuotas 2012-10-25

0

A-DATA Viesta DDR600 Viesta atmintis, DDR SDRAM atminties moduliuose, pirmiausia pasiekė 600Mhz taktinį dažnį su Samsung TCCD atminties lustais. „A-data Viesta“ duomenų talpa buvo 512 MB arba 256 MB. Jis dažniausiai buvo naudojamas ovcrclocking.   Product Name A-DATA Vitesta DDR600 512MB Part Number MDOSSLF3H47A0B1G0Z Manufacturer A-DATA Country of manufacture Taiwan Build Year 2004 Features 184pin Unbuffer […]

Skaityti toliau

„Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM“

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta Originalus DRAM | Publikuotas 2012-05-18

1

„Samsung 1MB DRAM SIMM“ užpakalinė dalis (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Gamybos įmonė : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Gamybos šalis : South Korea Module Features : 30smeigtukas, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Skaityti toliau

ELPIDA 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta DDR3 SDRAM | Publikuotas 2012-03-09

6

ELPIDA DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 priekinė pusė

produkto pavadinimas : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Formos koeficientas : DDR3 SO-DIMM Features : 204smeigtukas, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M žodžiai × 64 bitai, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Skaityti toliau

„Hyundai 16MB EDO DRAM 72pin SIMM“ (HYM532414)

paskelbtas „DeviceLog.com“ | Paskelbta EDO DRAMAS | Publikuotas 2011-08-04

1

„Hyundai 72pin“ 16MB DRAM SIMM HY5117404B (Priekinė pusė)

EDO DRAM turi laikiną atminties vietą greitesniam duomenų įvesties / išvesties procesui. Tai veiksminga, kai sistema negali gauti talpyklos atminties palaikymo. Bet jei sistemoje yra talpyklos atmintis, EDO DRAM efektas menkas. Gamintojas : „Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Sukurkite metus / savaitę : 1997/32 Gamybos šalis : Korėja (Pietų Korėja) Dalies numeris […]

Skaityti toliau