ຜູ້ຜະລິດ : LG Semicon Co., ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. ປະເທດຜະລິດ : ເລກສ່ວນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ? ປັດໃຈແບບຟອມ : SIMM Features : 72pin, EDO DRAM, Non-Parity Memory Capacity : 16MB Bandwidth : 32bit Speed : 60ns(tRAC) ແຮງດັນໄຟຟ້າ : 5V Chip Composition : GM71C17400CJ6 × 8 Chip Build Year/Week : 1998/27 Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : 4M […]

ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : 1994 ປະເທດຜະລິດ : ເລກສ່ວນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ປັດໄຈແບບຟອມ HYM532100AM-70 : ປະເພດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ SIMM : ຄວາມອາດສາມາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ EDO DRAM : 4ປະເພດລົດເມ MB : Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM (Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM) Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : Pins ບໍ່ເທົ່າກັນ : 72pin Bandwidth : 32ບິດ Latency : 70ns (tRAC) ແຮງດັນໄຟຟ້າ […]

KMM591000AN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000AJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. KMM591000BN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000BJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. ພວກມັນແມ່ນ SIMMs 1 MB DRAM ທີ່ຜະລິດໂດຍ Samsung Electronics. ບໍລິສັດຜະລິດ : ຜະລິດຕະພັນ Samsung Electronics ປີ : 1992 / 1993 ປະເທດຜະລິດ : ຄຸນສົມບັດໂມດູນເກົາຫຼີໃຕ້ : 30pin, SIMM, ຄວາມສາມາດຫນ່ວຍຄວາມ ຈຳ RAM Parity […]

EDO DRAM ມີພື້ນທີ່ຄວາມຊົງຈໍາຊົ່ວຄາວເພື່ອໃຫ້ຂໍ້ມູນ I/O ໄວຂຶ້ນ. ມັນມີປະສິດຕິຜົນເມື່ອລະບົບບໍ່ສາມາດຮັບການຮອງຮັບໜ່ວຍຄວາມຈຳຖານຄວາມຈຳໄດ້. ແຕ່ຖ້າລະບົບມີຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ cache, ຜົນກະທົບຂອງ EDO DRAM ແມ່ນຫນ້ອຍ. ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. ສ້າງປີ / ອາທິດ : 1997/32 ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫລີ (ເກົາ​ຫຼີ​ໃຕ້) ລະຫັດສິນຄ້າ […]

ແຜ່ນ SIMM ນີ້ມີສີທອງ. ສີແຜ່ນແລະແບບຟອມກະດານຂອງ SIMM ນີ້ແຕກຕ່າງຈາກ SIMM ກັບ GM71C4400A. GM71C4400B ແມ່ນ 1M × 4bit. ແລະ GM71C1000B ແມ່ນ 1M × 4bit. ຄວາມຈຸຂອງ ໜ່ວຍ ຄວາມ ຈຳ ແລະ ໜ້າ ທີ່ຂອງ SIMM ນີ້ບໍ່ແຕກຕ່າງຈາກ SIMM ກັບ GM71C4400A ແລະ GM71C1000. ການຜະລິດ […]