ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ຜູ້ຜະລິດ EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory ປະເທດຜະລິດ : ຄວາມອາດສາມາດດ້ານຂໍ້ມູນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : 2GB ຄວາມໄວໂມງ : 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chip VDD ແຮງດັນ : 1.5V ຫນ້າທໍາອິດ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = ລະຄອນ&no = 91

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ຫ້ອງ Samsung SDHC 10 ຊື່ຕົວແບບ 32GB ທີ່ຈຳເປັນ : MB-SSBGA/KR ຜູ້ຜະລິດ : Samsung Electronics ປະເທດຜະລິດ : ປະເພດຄວາມຊົງຈໍາຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ຂະໜາດ SDHC : 32mm x 24mm x 2.1mm ຄວາມຈຸຂໍ້ມູນ : 32GB (2923Samsung SDHC Essential 32GB Class, 29927Samsung SDHC Essential 32GB Class) Samsung SDHC Essential 32GB Class : Samsung SDHC Essential 32GB Class. 24ຄວາມໄວໃນການຂຽນ MB/s : Samsung SDHC Essential 32GB Class. 13MB/s ແຮງດັນທີ່ອະນຸຍາດ : 2.7 Samsung SDHC Essential 32GB Class […]

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ Samsung 4GB DDR3 SDRAM PC3-10600 Memory (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) ປະເທດຜະລິດເກົາຫຼີໃຕ້ສ້າງປີ/ອາທິດ 2011/31 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=9, tRCD = 9, tRP=9 ຄຸນສົມບັດ 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM Data bits x64 ຄວາມເລິກ / ອົງການຈັດຕັ້ງບິດ 512M / x8 ໂມດູນພາຍໃນ […]

ກະດານຫຼັກຫຼາຍ, ຮອງຮັບ CPU pentium ຕົ້ນ, ປົກກະຕິແລ້ວມີຊິບຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ cache sync ເປັນ cache CPU L2. ໂມດູນ cache sync ນີ້(ຝັ່ງທະເລ; Cache On A Stick) ແມ່ນໂມດູນໜ່ວຍຄວາມຈຳພາຍນອກທີ່ໃຊ້ເປັນແຄດ CPU L2 ເພີ່ມເຕີມ. ມັນເພີ່ມປະສິດທິພາບຂອງໂປເຊດເຊີໃຫ້ສູງສຸດໃນຂະນະທີ່ໂປເຊດເຊີກໍາລັງລໍຖ້າຄໍາແນະນໍາຫຼືຂໍ້ມູນ. L2 cache ຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການປະຕິບັດງານ […]

ແຜ່ນ SIMM ນີ້ມີສີທອງ. ສີແຜ່ນແລະແບບຟອມກະດານຂອງ SIMM ນີ້ແຕກຕ່າງຈາກ SIMM ກັບ GM71C4400A. GM71C4400B ແມ່ນ 1M × 4bit. ແລະ GM71C1000B ແມ່ນ 1M × 4bit. ຄວາມຈຸຂອງ ໜ່ວຍ ຄວາມ ຈຳ ແລະ ໜ້າ ທີ່ຂອງ SIMM ນີ້ບໍ່ແຕກຕ່າງຈາກ SIMM ກັບ GM71C4400A ແລະ GM71C1000. ການຜະລິດ […]