ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : 1994 ປະເທດຜະລິດ : ເລກສ່ວນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ປັດໄຈແບບຟອມ HYM532100AM-70 : ປະເພດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ SIMM : ຄວາມອາດສາມາດຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ EDO DRAM : 4ປະເພດລົດເມ MB : Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM (Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM) Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : Pins ບໍ່ເທົ່າກັນ : 72pin Bandwidth : 32ບິດ Latency : 70ns (tRAC) ແຮງດັນໄຟຟ້າ […]

ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : ຜູ້ຜະລິດ EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 : EKmemory ປະເທດຜະລິດ : ຄວາມອາດສາມາດດ້ານຂໍ້ມູນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : 2GB ຄວາມໄວໂມງ : 1333Mhz (PC3-10600) ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 240pin, Unbuffer ບໍ່ແມ່ນ ECC DDR3 SDRAM DIMM ອົງປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 chip VDD ແຮງດັນ : 1.5V ຫນ້າທໍາອິດ : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id = ລະຄອນ&no = 91

KMM591000AN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000AJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. KMM591000BN-7 ປະກອບດ້ວຍຊິບ KM44C1000BJ-7 ສອງ ໜ່ວຍ ແລະຊິບ KM44C1000CJ-7 ຈຳ ນວນ ໜຶ່ງ. ພວກມັນແມ່ນ SIMMs 1 MB DRAM ທີ່ຜະລິດໂດຍ Samsung Electronics. ບໍລິສັດຜະລິດ : ຜະລິດຕະພັນ Samsung Electronics ປີ : 1992 / 1993 ປະເທດຜະລິດ : ຄຸນສົມບັດໂມດູນເກົາຫຼີໃຕ້ : 30pin, SIMM, ຄວາມສາມາດຫນ່ວຍຄວາມ ຈຳ RAM Parity […]

EDO DRAM ມີພື້ນທີ່ຄວາມຊົງຈໍາຊົ່ວຄາວເພື່ອໃຫ້ຂໍ້ມູນ I/O ໄວຂຶ້ນ. ມັນມີປະສິດຕິຜົນເມື່ອລະບົບບໍ່ສາມາດຮັບການຮອງຮັບໜ່ວຍຄວາມຈຳຖານຄວາມຈຳໄດ້. ແຕ່ຖ້າລະບົບມີຫນ່ວຍຄວາມຈໍາ cache, ຜົນກະທົບຂອງ EDO DRAM ແມ່ນຫນ້ອຍ. ຜູ້ຜະລິດ : ບໍລິສັດອຸດສາຫະ ກຳ ໄຟຟ້າ Hyundai, ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. ສ້າງປີ / ອາທິດ : 1997/32 ປະເທດຜະລິດ : ເກົາຫລີ (ເກົາ​ຫຼີ​ໃຕ້) ລະຫັດສິນຄ້າ […]

RAM ນີ້ແມ່ນ 30-pin 1MB SIMM ທີ່ຜະລິດໂດຍອຸດສາຫະ ກຳ Hyundai Electronics(Hynix ຂອງດຽວນີ້). 30-PIN SIMMs ຖືກ ນຳ ໃຊ້ຈາກທົ່ວໂລກ 80286 ເຖິງ 80486. ຖ້າ ຈຳ ນວນຊິບແມ່ນເລກຄີກ, ໜຶ່ງ ໃນຊິບປະຕິບັດການກວດສອບຄວາມສະເຫມີພາບ. RAM ນີ້ປະກອບດ້ວຍສອງ HY514400A(1M x 4bit) ແລະ ໜຶ່ງ HY531000A(1M x 1bit). ຄວາມອາດສາມາດຄວາມ ຈຳ ຂອງ […]