ຜູ້ຜະລິດ : LG Semicon Co., ບໍລິສັດ ຈຳ ກັດ. ປະເທດຜະລິດ : ເລກສ່ວນຂອງເກົາຫຼີໃຕ້ : ? ປັດໃຈແບບຟອມ : SIMM Features : 72pin, EDO DRAM, Non-Parity Memory Capacity : 16MB Bandwidth : 32bit Speed : 60ns(tRAC) ແຮງດັນໄຟຟ້າ : 5V Chip Composition : GM71C17400CJ6 × 8 Chip Build Year/Week : 1998/27 Hyundai 72pin 4MB EDO DRAM HYM532100AM-70 70ns Fast Page non-Parity SIMM : 4M […]

ຊື່ຜະລິດຕະພັນ EK Memory 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 Part Number EKM256S74BP8-E6 ຜູ້ຜະລິດ EK Memory ປະເທດຜະລິດຊິບໄຕ້ຫວັນ ສ້າງປີ/ອາທິດ 2008/27 ໂມດູນໜ່ວຍຄວາມຈຳປະເພດ DDR2 SO-DIMM 200 pin ຄວາມຈຸຂໍ້ມູນ 2GB ຄວາມໄວໂມງ 667Mhz (PC2-5300) ເວລາໜ່ວຍຄວາມຈຳ CL=5, tRCD=5, tRP=5 ຄຸນສົມບັດ 200pin Unbuffered Non-ECC Notebook(ແລັບທັອບ) Memory Data Bits x64 Data Chip ຂໍ້ມູນ EK20908A8A-3EG […]

Product name Samsung 8GB DDR3 SDRAM PC3-12800 8GB DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture Philippine Build year/week 2014/08 Data Capacity 8GB Clock speed 1600Mhz (PC3-12800) Memory Timing CL=11, tRCD = 11, tRP=11 Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 20, 30, 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 ຈັດລຽງລໍາດັບ […]

M368L6423DTM ແມ່ນ 32M bit x 64 ອັດຕາຂໍ້ມູນສອງເທົ່າ(DDR) ໂມດູນຄວາມຊົງຈໍາຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ SDRAM ອີງໃສ່ການຜະລິດທີຫ້າຂອງ 256Mb DDR SDRAM ຕາມລໍາດັບ. M368L6423DTM ປະກອບດ້ວຍສິບຫົກ CMOS 32M x 8 bit ກັບ 4banks Double Data Rate SDRAMs ໃນ 66pin TSOP-II(400ລ້ານ) ແພັກເກັດທີ່ຕິດຢູ່ເທິງຊັ້ນຮອງແກ້ວ-epoxy 184pin. ສີ່ຕົວເກັບປະຈຸ decoupling 0.1uF ແມ່ນ […]

Samsung Electronics ໄດ້ປ່ອຍໂມດູນ DDR3 SDRAM ໂດຍໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີຂະບວນການ 30nm ໃນເດືອນກໍລະກົດ 2010. ໂມດູນ RAM ນີ້ຖືກສ້າງຂື້ນໂດຍເຕັກໂນໂລຢີໃນຂະບວນການ 40nm. Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) ຜູ້ຜະລິດ Samsung Electronics (ສ) Country of manufacture China Build year/week 2011/13 ຄວາມຈຸຂອງຂໍ້ມູນ 4GB ຄວາມໄວໂມງ 1333Mhz (PC3-10600) ທີ່ໃຊ້ເວລາຈໍາ […]