Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, RAM ບໍ່ແມ່ນທີ່ແທ້ຈິງ)

ຈັດພີມມາໂດຍ DeviceLog.com | ຂຽນເມື່ອໃນ DDR SDRAM | ຈັດພີມມາສຸດ 2013-03-13

3

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (RAM ບໍ່ແມ່ນທີ່ແທ້ຈິງ)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (RAM ບໍ່ແມ່ນທີ່ແທ້ຈິງ)

  • ຊື່​ຜະ​ລິດ​ຕະ​ພັນ : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (ພາກສ່ວນທີ່ບໍ່ແມ່ນຂອງແທ້)
  • ເລກສ່ວນ : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • ຜູ້ຜະລິດ : Samsung ເອເລັກໂຕຣນິກ (ສ)
  • ປະເທດຜະລິດ : ເກົາ​ຫຼີ​ໃຕ້
  • ສ້າງປີ / ອາທິດ : 2003/33
  • ຄວາມອາດສາມາດຂໍ້ມູນ : 512MB
  • ຄວາມໄວຂອງໂມງ : 400Mhz (PC3200)
  • ຄຸນ​ລັກ​ສະ​ນະ : 184pin, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • ສ່ວນປະກອບຊິບຂໍ້ມູນ : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ຊິບ
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6Samsung DDR2 SDRAM 2GB 2Rx8 PC2-6400 ດ້ານຫນ້າ

ຄຳ ເຫັນ (3)

Is this ddr 1???

Yes.

Thank you and good luck.

ຂຽນຄໍາຄິດເຫັນ