Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM

Gepost vum DeviceLog.com | Gepost an DDR3 SDRAM | Gepost op 2015-03-02

3

Samsung Electronics verëffentlecht DDR3 SDRAM Moduler mat der 30nm Prozesstechnologie am Juli 2010. Dëse RAM Modul gouf vun der 40nm Prozesstechnologie gemaach.

Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB frontside Samsung SODIMM DDR3 PC3-10600 4GB hënneschter Säit

Produit Numm Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S Fotoen-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)
Fabrikant beschwéiert Samsung Electronics (SEC)
Land vun Fabrikatioun China
Baut Joer / Woch 2011/13
Daten Kapazitéit 4GB
Auer Vitesse 1333Mhz (PC3-10600)
Erënnerung Timing CL=9, tRCD=9, tRP=9
Eegeschaften 204pin, SODIMM, Non-ECC DDR3 SDRAM Unbuffer
Produktioun Prozess Technologie 40nm vun
Daten Bits x64
Intern Modul Banken 8
Rank 2
Daten Chip Zesummesetzung 256M x 8 * 16 pcs
Komponent Revisioun 2Gb, C-déif
Package 78 Ball FBGA
Héicht 30mm
VDD Spannung 1.5V
Operatioun Fall Temperatur Range 0°C ~ 85°C

Kommentaren (3)

Ech wéilt dës Memory kafen.

Moien alleguer,

Wéi kann ech eng vun dëser bestellen?

Merci!

Ech war Planung engem kafen vun dësem Modul

Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM
(2rx8, PC3-10600S Fotoen-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)

Schreift e Kommentar