Продукт аты Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2 ГБ эстутум (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Өндүрүүчү Samsung Electronics Өндүрүүчү өлкө Кытай Build жыл/апта 2010/38 Маалымат кубаттуулугу 2 ГБ Сааттын ылдамдыгы 1333 МГц (PC3-10600) 240pin өзгөчөлүктөрү, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Өндүрүш процессинин технологиясы 40нм Маалымат биттери x64 Ички Модул банктары 8 Маалымат чиптеринин курамы [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чипсы […]

Many mainboards, supported early pentium CPU, usually had sync cache memory chips as CPU L2 cache. This sync cache module(COASt; Cache On A Stick) is external memory module used as additional CPU L2 cache. It maximizes the perfomance of the processor while the processor is waiting for instructions or data. L2 cache is used for operating […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta эс тутуму, DDR SDRAM эстутум модулдарында, биринчиден Samsung TCCD эстутум чиптери менен 600 МГц саат ылдамдыгына жетишти. A-data Viesta маалымат сыйымдуулугу 512 МБ же 256 МБ болгон. Ал көбүнчө ovcrclocking үчүн колдонулган.   Продукт аты A-DATA Vitesta DDR600 512MB Бөлүштүк номери MDOSSLF3H47A0B1G0Z Өндүрүүчү A-DATA Өндүрүүчү өлкө Тайвань Курулган жылы 2004 184pin Unbuffer өзгөчөлүктөрү […]

KMM591000AN-7 эки KM44C1000AJ-7 жана бир KM44C1000CJ-7 чиптен турат. KMM591000BN-7 эки KM44C1000BJ-7 жана бир KM44C1000CJ-7 чиптен турат. Алар Samsung Electronics тарабынан чыгарылган 1МБ DRAM SIMMлер. Өндүрүш компаниясы : Samsung Electronics чыгарылган жылы : 1992 / 1993 Өндүрүлгөн өлкө : Түштүк Корея модулунун өзгөчөлүктөрү : 30пин, SIMM, Паритеттик RAM эс тутумунун сыйымдуулугу […]

Product Name : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 Form Factor : DDR3 SO-DIMM Features : 204пин, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]