제조사 : LG반도체, (주). 제조 국가 : 한국 부품 번호 : ? 폼 팩터 : SIMM 기능 : 72핀, EDO DRAM의, 비패리티 메모리 용량 : 16MB 대역폭 : 32비트 속도 : 60NS(TRAC) 전압 : 5V 칩 구성 : GM71C17400CJ6 × 8 칩 빌드 연도 / 주 : 1998/27 하나 개의 칩 용량 : 4엠 […]

제품 이름 EK 메모리 2GB DDR SO-DIMM PC2-5300 CL5 부품 번호 EKM256S74BP8-E6 제조업체 EK 메모리 제조 국가 대만 칩 빌드 연도 / 주 2008/27 메모리 모듈 유형 DDR2 SO-DIMM 200 핀 데이터 용량 2GB 클럭 속도 667Mhz (PC2-5300) 메모리 타이밍 CL = 5, tRCD = 5, tRP = 5 가지 기능 200 핀 Unbuffered Non-ECC 노트북(노트북) 메모리 데이터 비트 x64 데이터 칩 정보 EK20908A8A-3EG […]

제품명 삼성 8기가바이트 DDR3 SDRAM PC3-12800 기가 바이트 DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 제조 필리핀 빌드 년 / 주 제조 업체 삼성 전자의 나라 2014/08 데이터 용량 8기가바이트 클럭 속도 인 1600MHz (PC3-12800) 메모리 타이밍 CL = 11, tRCD와 = 11, TRP = 11 240pin 특징, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 생산 공정 기술 20, 30, 40내지 64의 데이터는 내부 모듈 뱅크 비트 8 계급 […]

M368L6423DTM는 32M 비트 x는 64 더블 데이터 레이트(DDR) 각각 256Mb의 DDR SDRAM의 제 genernation에 기초 SDRAM 고밀도 메모리 모듈. M368L6423DTM는 여섯 CMOS 32M X의 구성 8 66pin TSOP-II의 4banks 더블 데이터 레이트 SDRAM과와 비트(400천) 패키지는 184pin 유리 에폭시 기판에 실장. 네 개의 0.1uF를 디커플링 커패시터는 […]

삼성 전자는 7 월에 30 나노 공정 기술을 사용하여 DDR3의 SDRAM 모듈 출시 2010. 이 RAM 모듈은 40 나노 공정 기술에 의해 만들어진. 제품 이름 Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 제조업체 삼성 전자 (비서) 제조국 중국 건설 년 / 주 2011/13 데이터 용량 4기가바이트 클럭 속도 1333MHz의 (PC3-10600) 메모리 타이밍 […]