제품명 삼성 DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB 메모리 (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 제조업체 Samsung Electronics 제조 업체 중국 빌드 년 / 주 2010/38 데이터 용량 2GB 클록 속도 1333Mhz (PC3-10600) 240 핀 특징, Unbuffer 비 -ECC DDR3 SDRAM DIMM 생산 공정 기술 40nm 데이터 비트 x64 내부 모듈 뱅크 8 데이터 칩 조성물 [SEC HCH9의 K4B2G0846C] ✕ 8 작은 조각 […]

대부분의 메인 보드, 지원 초기 펜티엄 CPU, 일반적으로 CPU L2 캐시로 동기화 캐시 메모리 칩을했다. 이 동기화 캐시 모듈(연안; 캐시에 막대기) 외부 메모리 모듈을 추가 CPU L2 캐시로 사용. 프로세서가 명령 또는 데이터를 기다리는 동안은 프로세서의 perfomance를 극대화. L2 캐시는 운영에 사용됩니다 […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta 메모리, DDR SDRAM 메모리 모듈, 삼성 TCCD 메모리 칩으로 최초로 600Mhz 클럭 속도 달성. A-data Viesta의 데이터 용량은 512MB 또는 256MB입니다.. 그것은 주로 ovcrclocking에 사용되었습니다.   제품 이름 A-DATA Vitesta DDR600 512MB 부품 번호 MDOSSLF3H47A0B1G0Z 제조업체 A-DATA 제조 국가 대만 건축 연도 2004 184 핀 언 버퍼 […]

KMM591000AN -7- 두 KM44C1000AJ -7- 칩 및 하나 KM44C1000CJ -7- 칩으로 구성된다. KMM591000BN -7- 두 KM44C1000BJ -7- 칩 및 하나 KM44C1000CJ -7- 칩으로 구성된다. 그들은 삼성 전자에 의해 생산 1메가바이트 DRAM SIMM을이다. 제조 회사 : 삼성 전자 제조 년도 : 1992 / 1993 제조 국가 : 한국 모듈 특징 : 30핀, SIMM, 패리티 RAM 메모리 용량 […]

상품명 : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 부품 번호 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F 제조업체 : ELPIDA 제조국 : 대만 건축 연도 / 주 : 2010/38 폼 팩터 : DDR3 SO-DIMM 기능 : 204핀, 비 ECC 메모리 용량 : 2GB 최대 데이터 속도 : 1333Mbps 전압 : 1.5V 조직 : 256M 워드 × 64 비트, 2 칩 구성 순위 : J1108BFBG-DJ-F […]