제품 이름 삼성 DDR4 SDRAM 8기가바이트 1R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) 부품 번호 M378A1K43CB2-CTD (C-다이) 제조 중국 빌드 년 / 주의 제조업체 삼성 전자의 나라 2018 / 28 DIMM 유형 UDIMM 데이터 용량 8기가바이트 데이터 속도 (최대 대역폭) 2666.67 MT / s (21333.33 MB / s의) 메모리 타이밍 (CL – tRCD와 – TRP – TRAS – TRC) 19-19-19-43-61 기능 288pin, 언 버퍼 드 ECC […]

제품 이름 삼성 DDR2 SDRAM 2기가바이트 2R의 × 8 PC2-6400 부품 번호 M378T5663QZ3-CF7 제조 업체 삼성 전자 국가 중국 (China) 년도 / 주 빌드 제조 2009/04, 2010/07 메모리 모듈 타입 DIMM 데이터 용량 2기가바이트 클럭 속도 800MHz의 (PC2-6400) 메모리 타이밍 CL = 6, tRCD와 = 6, TRP = 6 개 특징 240pin, 버퍼 해제 비 ECC DDR2 SDRAM DIMM 데이터 비트의 x64 내부 모듈 은행 8 계급 2 데이터 […]

제품명 삼성 8기가바이트 DDR3 SDRAM PC3-12800 기가 바이트 DIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 제조 필리핀 빌드 년 / 주 제조 업체 삼성 전자의 나라 2014/08 데이터 용량 8기가바이트 클럭 속도 인 1600MHz (PC3-12800) 메모리 타이밍 CL = 11, tRCD와 = 11, TRP = 11 240pin 특징, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 생산 공정 기술 20, 30, 40내지 64의 데이터는 내부 모듈 뱅크 비트 8 계급 […]

M368L6423DTM는 32M 비트 x는 64 더블 데이터 레이트(DDR) 각각 256Mb의 DDR SDRAM의 제 genernation에 기초 SDRAM 고밀도 메모리 모듈. M368L6423DTM는 여섯 CMOS 32M X의 구성 8 66pin TSOP-II의 4banks 더블 데이터 레이트 SDRAM과와 비트(400천) 패키지는 184pin 유리 에폭시 기판에 실장. 네 개의 0.1uF를 디커플링 커패시터는 […]

삼성 전자는 7 월에 30 나노 공정 기술을 사용하여 DDR3의 SDRAM 모듈 출시 2010. 이 RAM 모듈은 40 나노 공정 기술에 의해 만들어진. 제품 이름 Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) 제조업체 삼성 전자 (비서) 제조국 중국 건설 년 / 주 2011/13 데이터 용량 4기가바이트 클럭 속도 1333MHz의 (PC3-10600) 메모리 타이밍 […]