제조사 : 현대 전자 산업 (주), (주). 빌드 년 : 1994 제조 국가 : 한국 부품 번호 : HYM532100AM-70 폼 팩터 : SIMM 메모리 유형 : EDO DRAM 메모리 용량 : 4MB 버스 유형 : 빠른 페이지 메모리 (FPM) 오류 수정 : 비 패리티 핀 : 72핀 대역폭 : 32비트 지연 : 70NS (TRAC) 전압 […]

상품명 : Samsung SDRAM 32MB PC66 부품 번호 : KMM366S403BTN-G0 제조업체 : 삼성전자 (비서) 제조 국가 : 한국 빌드 년 / 주 : 1997/33 데이터 용량 : 32MB 시계 속도 : 66MHz의 (PC66) 풍모 : 168핀, 비 버퍼 비 ECC SDRAM DIMM 데이터 칩 구성 : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 칩 VDD : 3.3V

상품명 : 삼성 DDR SDRAM 5백12메가바이트 PC3200 (정품이 아닌 부품) 부품 번호 : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC 제조업체 : 삼성전자 (비서) 제조 국가 : 한국 빌드 년 / 주 : 2003/33 데이터 용량 : 512MB 시계 속도 : 400MHz의 (PC3200) 풍모 : 184핀, 버퍼링 비 ECC DDR SDRAM DIMM 데이터 칩 조성물 : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 칩 데이터 […]

상품명 : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 제조업체 : EKmemory 제조국 : 한국 데이터 용량 : 2GB 클럭 속도 : 1333MHz의 (PC3-10600) 풍모 : 240핀, 언 버퍼 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 데이터 칩 구성 : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 칩 VDD 전압 : 1.5V 홈페이지 : HTTP://www.ekmemory.com/bbs/view.php?ID = DRAM&없음 = 91

제품명 삼성 4기가바이트 DDR3 SDRAM PC3-10600 메모리 (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) 제조업체 삼성 전자 (비서) 제조 한국 빌드 년 / 주 국가 2011/31 데이터 용량 4기가바이트 클럭 속도 1333MHz의 (PC3-10600) 메모리 타이밍 CL = 9, tRCD와 = 9, TRP = 9 240pin 특징, 버퍼 해제 비 ECC DDR3 SDRAM DIMM 데이터 비트의 x64 깊이 / 비트 조직 512M / X8 내부 모듈 […]