ತಯಾರಕ : LG ಸೆಮಿಕಾನ್ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್. ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ : ? ರಚನೆಯ ಅಂಶ : SIMM ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು : 72ಪಿನ್, EDO DRAM, ನಾನ್-ಪ್ಯಾರಿಟಿ ಮೆಮೊರಿ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 16MB ಬ್ಯಾಂಡ್‌ವಿಡ್ತ್ : 32ಬಿಟ್ ವೇಗ : 60ಎನ್ಎಸ್(tRAC) ವೋಲ್ಟೇಜ್ : 5ವಿ ಚಿಪ್ ಸಂಯೋಜನೆ : GM71C17400CJ6 × 8 ಚಿಪ್ ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ : 1998/27 ಒಂದು ಚಿಪ್ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 4ಎಂ […]

ತಯಾರಕ : ಹುಂಡೈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಇಂಡಸ್ಟ್ರೀಸ್ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್. ವರ್ಷವನ್ನು ನಿರ್ಮಿಸಿ : 1994 ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ : HYM532100AM-70 ಫಾರ್ಮ್ ಫ್ಯಾಕ್ಟರ್ : SIMM ಮೆಮೊರಿ ಪ್ರಕಾರ : EDO DRAM ಮೆಮೊರಿ ಸಾಮರ್ಥ್ಯ : 4MB ಬಸ್ ಪ್ರಕಾರ : ಫಾಸ್ಟ್ ಪೇಜ್ ಮೆಮೊರಿ (FPM) ದೋಷ ತಿದ್ದುಪಡಿ : ನಾನ್-ಪ್ಯಾರಿಟಿ ಪಿನ್‌ಗಳು : 72ಪಿನ್ ಬ್ಯಾಂಡ್ವಿಡ್ತ್ : 32ಬಿಟ್ ಲೇಟೆನ್ಸಿ : 70ಎನ್ಎಸ್ (tRAC) ವೋಲ್ಟೇಜ್ […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : South Korea Module Features : 30ಪಿನ್, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM ವೇಗವಾದ ಡೇಟಾ I/O ಗಾಗಿ ತಾತ್ಕಾಲಿಕ ಮೆಮೊರಿ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸಿಸ್ಟಮ್ ಕ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿ ಬೆಂಬಲವನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗದಿದ್ದಾಗ ಇದು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿದೆ. ಆದರೆ ಸಿಸ್ಟಮ್ ಕ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, EDO DRAM ನ ಪರಿಣಾಮವು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ. ತಯಾರಕ : ಹುಂಡೈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಇಂಡಸ್ಟ್ರೀಸ್ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್. ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ : 1997/32 ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ಕೊರಿಯಾ (ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ) ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ […]