Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Data chip composition [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ಚಿಪ್ಸ್ […]

Many mainboards, supported early pentium CPU, usually had sync cache memory chips as CPU L2 cache. This sync cache module(COASt; Cache On A Stick) is external memory module used as additional CPU L2 cache. It maximizes the perfomance of the processor while the processor is waiting for instructions or data. L2 cache is used for operating […]

A-DATA Viesta DDR600 ವಿಯೆಸ್ಟಾ ಮೆಮೊರಿ, DDR SDRAM ಮೆಮೊರಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳಲ್ಲಿ, ಸ್ಯಾಮ್‌ಸಂಗ್ TCCD ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಮೊದಲು 600Mhz ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗವನ್ನು ಸಾಧಿಸಿದೆ. A-ಡೇಟಾ ವಿಯೆಸ್ಟಾದ ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು 512MB ಅಥವಾ 256MB ಆಗಿತ್ತು. ಇದನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ovcrclockingಗಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು.   ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು A-DATA Vitesta DDR600 512MB ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ MDOSSLF3H47A0B1G0Z ತಯಾರಕರು A-DATA ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ತೈವಾನ್ ನಿರ್ಮಾಣ ವರ್ಷ 2004 ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 184pin ಅನ್ಬಫರ್ […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : South Korea Module Features : 30ಪಿನ್, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 ರಚನೆಯ ಅಂಶ : DDR3 SO-DIMM Features : 204ಪಿನ್, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]