Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Data chip composition [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ಚಿಪ್ಸ್ […]

A-DATA Viesta DDR600 ವಿಯೆಸ್ಟಾ ಮೆಮೊರಿ, DDR SDRAM ಮೆಮೊರಿ ಮಾಡ್ಯೂಲ್‌ಗಳಲ್ಲಿ, ಸ್ಯಾಮ್‌ಸಂಗ್ TCCD ಮೆಮೊರಿ ಚಿಪ್‌ಗಳೊಂದಿಗೆ ಮೊದಲು 600Mhz ಗಡಿಯಾರದ ವೇಗವನ್ನು ಸಾಧಿಸಿದೆ. A-ಡೇಟಾ ವಿಯೆಸ್ಟಾದ ಡೇಟಾ ಸಾಮರ್ಥ್ಯವು 512MB ಅಥವಾ 256MB ಆಗಿತ್ತು. ಇದನ್ನು ಹೆಚ್ಚಾಗಿ ovcrclockingಗಾಗಿ ಬಳಸಲಾಗುತ್ತಿತ್ತು.   ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು A-DATA Vitesta DDR600 512MB ಭಾಗ ಸಂಖ್ಯೆ MDOSSLF3H47A0B1G0Z ತಯಾರಕರು A-DATA ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ ತೈವಾನ್ ನಿರ್ಮಾಣ ವರ್ಷ 2004 ವೈಶಿಷ್ಟ್ಯಗಳು 184pin ಅನ್ಬಫರ್ […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Manufacturing Company : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : South Korea Module Features : 30ಪಿನ್, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

ಉತ್ಪನ್ನದ ಹೆಸರು : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Manufacturer : ELPIDA Country of manufacture : Taiwan Build Year/Week : 2010/38 ರಚನೆಯ ಅಂಶ : DDR3 SO-DIMM Features : 204ಪಿನ್, Non-ECC Memory Capacity : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Voltage : 1.5V Organization : 256M words × 64 bits, 2 ranks Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ವೇಗವಾದ ಡೇಟಾ I/O ಗಾಗಿ ತಾತ್ಕಾಲಿಕ ಮೆಮೊರಿ ಸ್ಥಳವನ್ನು ಹೊಂದಿದೆ. ಸಿಸ್ಟಮ್ ಕ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿ ಬೆಂಬಲವನ್ನು ಸ್ವೀಕರಿಸಲು ಸಾಧ್ಯವಾಗದಿದ್ದಾಗ ಇದು ಪರಿಣಾಮಕಾರಿಯಾಗಿದೆ. ಆದರೆ ಸಿಸ್ಟಮ್ ಕ್ಯಾಶ್ ಮೆಮೊರಿಯನ್ನು ಹೊಂದಿದ್ದರೆ, EDO DRAM ನ ಪರಿಣಾಮವು ಕಡಿಮೆಯಾಗಿದೆ. ತಯಾರಕ : ಹುಂಡೈ ಇಲೆಕ್ಟ್ರಾನಿಕ್ಸ್ ಇಂಡಸ್ಟ್ರೀಸ್ ಕಂ., ಲಿಮಿಟೆಡ್. ಬಿಲ್ಡ್ ವರ್ಷ/ವಾರ : 1997/32 ಉತ್ಪಾದನೆಯ ದೇಶ : ಕೊರಿಯಾ (ದಕ್ಷಿಣ ಕೊರಿಯಾ) ಭಾಗದ ಸಂಖ್ಯೆ […]