ក្រុមហ៊ុនផលិត : ក្រុមហ៊ុន LG Semicon, អិលធីឌី. ប្រទេស​នៃ​ការផលិត : លេខផ្នែក កូរ៉េខាងត្បូង : ? កត្តា​សំណុំ​បែបបទ : លក្ខណៈពិសេសស៊ីម : 72ម្ជុល, EDO DRAM, សមត្ថភាពអង្គចងចាំមិនស្មើគ្នា : 16កម្រិតបញ្ជូន MB : 32ល្បឿនប៊ីត : 60ន(tRAC) វ៉ុល : 5សមាសភាព V Chip : GM71C17400CJ6 × 8 Chip Build ឆ្នាំ/សប្តាហ៍ : 1998/27 សមត្ថភាពបន្ទះឈីបមួយ។ : 4ម […]

ក្រុមហ៊ុនផលិត : ក្រុមហ៊ុនអេឡិចត្រូនិកអេឡិចត្រូនិចឧស្សាហកម្ម, អិលធីឌី. ឆ្នាំកសាង : 1994 ប្រទេស​នៃ​ការផលិត : លេខផ្នែក កូរ៉េខាងត្បូង : កត្តាទម្រង់ HYM532100AM-70 : ប្រភេទអង្គចងចាំ SIMM : សមត្ថភាពអង្គចងចាំ EDO DRAM : 4ប្រភេទឡានក្រុង MB : ការចងចាំទំព័ររហ័ស (FPM) ការកែកំហុស : ម្ជុលមិនស្មើគ្នា : 72pin កម្រិតបញ្ជូន : 32ភាពយឺតយ៉ាវបន្តិច : 70ន (tRAC) វ៉ុល […]

KMM591000AN-7 ផ្សំពីបន្ទះឈីប KM44C1000AJ-7 ចំនួនពីរនិងបន្ទះឈីប KM44C1000CJ-7 មួយ។. KMM591000BN-7 ផ្សំជាមួយឈីប KM44C1000BJ-7 ចំនួនពីរនិងបន្ទះឈីប KM44C1000CJ-7 មួយ។. ពួកគេជាស៊ីមកាត DRAM ទំហំ ១ មេកាបៃផលិតដោយក្រុមហ៊ុនអេឡិចត្រូនិកសាមសុង. ក្រុមហ៊ុនផលិត : ឆ្នាំផលិតអេឡិចត្រូនិក Samsung : 1992 / 1993 ប្រទេស​នៃ​ការផលិត : លក្ខណៈពិសេសនៃម៉ូឌុលកូរ៉េខាងត្បូង : 30ម្ជុល, ស៊ីមអឹម, សមត្ថភាពអង្គចងចាំ RAM Parity […]

EDO DRAM មានទំហំអង្គចងចាំបណ្តោះអាសន្នសម្រាប់ទិន្នន័យ I/O លឿនជាងមុន. វាមានប្រសិទ្ធភាពនៅពេលដែលប្រព័ន្ធមិនអាចទទួលបានការគាំទ្រអង្គចងចាំឃ្លាំងសម្ងាត់. ប៉ុន្តែប្រសិនបើប្រព័ន្ធមានអង្គចងចាំឃ្លាំងសម្ងាត់, ឥទ្ធិពលរបស់ EDO DRAM គឺតិចតួច. ក្រុមហ៊ុនផលិត : ក្រុមហ៊ុនអេឡិចត្រូនិកអេឡិចត្រូនិចឧស្សាហកម្ម, អិលធីឌី. សាងសង់ឆ្នាំ / សប្តាហ៍ : 1997/32 ប្រទេស​នៃ​ការផលិត : កូរ៉េ (កូរ៉េខាងត្បូង) លេខផ្នែក […]