Product name Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB Memory (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Manufacturer Samsung Electronics Country of manufacture China Build year/week 2010/38 Data Capacity 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Features 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Production process technology 40nm Data bits x64 Internal Module banks 8 Деректер чипінің құрамы [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 чиптер […]

Many mainboards, supported early pentium CPU, usually had sync cache memory chips as CPU L2 cache. This sync cache module(COASt; Cache On A Stick) is external memory module used as additional CPU L2 cache. It maximizes the perfomance of the processor while the processor is waiting for instructions or data. L2 cache is used for operating […]

A-DATA Viesta DDR600 Viesta жады, DDR SDRAM жад модульдерінде, алдымен Samsung TCCD жад микросхемаларымен 600 МГц сағат жылдамдығына қол жеткізді. A-data Viesta деректер сыйымдылығы 512 МБ немесе 256 МБ болды. Ол көбінесе овкрктинг үшін пайдаланылды.   Өнім атауы A-DATA Vitesta DDR600 512MB Бөлшек нөмірі MDOSSLF3H47A0B1G0Z Өндіруші A-DATA Өндіруші елі Тайвань Құрылған жылы 2004 184pin Unbuffer мүмкіндіктері […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Өндірістік компания : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Өндіруші елі : South Korea Module Features : 30түйреуіш, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Өнім атауы : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 Бөлшек нөмірі : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Өндіруші : ELPIDA Өндіруші елі : Тайвань құрылыс жылы/апта : 2010/38 Форма факторы : DDR3 SO-DIMM мүмкіндіктері : 204түйреуіш, ECC емес жад сыйымдылығы : 2ГБ максималды деректер жылдамдығы : 1333Мбит/с кернеу : 1.5V Ұйымдастыру : 256M сөз × 64 бит, 2 Чиптің құрамы бойынша орын алады : J1108BFBG-DJ-F […]