Samsung Electronics- მა ივლისში გამოუშვა DDR3 SDRAM მოდულები 30 ნმ პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით 2010. RAM- ის ეს მოდული დამზადებულია 40 ნმ პროცესის ტექნოლოგიით. პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) მწარმოებელი Samsung Electronics (წ) მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2011/13 მონაცემთა მოცულობა 4 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) მეხსიერების დრო […]

მწარმოებელი : Hyundai Electronics Industries Co., შპს. აშენების წელი : 1994 Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა ნაწილის ნომერი : HYM532100AM-70 ფორმის ფაქტორი : SIMM მეხსიერების ტიპი : EDO DRAM მეხსიერების მოცულობა : 4MB ავტობუსის ტიპი : სწრაფი გვერდის მეხსიერება (FPM) შეცდომის გამოსწორება : არაპარიტეტული ქინძისთავები : 72pin გამტარუნარიანობა : 32ბიტი შეყოვნება : 70ns (tRAC) Ვოლტაჟი […]

Პროდუქტის სახელი : Samsung SDRAM 32MB PC66 ნაწილის ნომერი : KMM366S403BTN-G0 მწარმოებელი : Samsung Electronics (წ) Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა აშენების წელი/კვირა : 1997/33 მონაცემთა მოცულობა : 32MB საათის სიჩქარე : 66მჰც (PC66) მახასიათებლები : 168pin, Unbuffered Non-ECC SDRAM DIMM მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [KM48S2020BT-G10] ✕ 16 ჩიპი VDD : 3.3V

Პროდუქტის სახელი : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (არა ორიგინალური ნაწილები) Ნაწილი ნომერი : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC მწარმოებელი : Samsung Electronics (წ) Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა აშენების წელი/კვირა : 2003/33 მონაცემთა მოცულობა : 512MB საათის სიჩქარე : 400მჰც (PC3200) მახასიათებლები : 184pin, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 ჩიპების მონაცემები […]

Პროდუქტის სახელი : EKmemory DDR3 SDRAM 2GB 2Rx8 PC3-10600U-9-10-B0 მწარმოებელი : EKmemory მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეის მონაცემთა მოცულობა : 2GB საათის სიჩქარე : 1333მჰც (PC3-10600) მახასიათებლები : 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა : [EKM324L28BP8-13] ✕ 16 ჩიპები VDD ძაბვა : 1.5V მთავარი გვერდი : http://www.ekmemory.com/bbs/view.php?id=დრამი&no=91