მწარმოებელი : LG Semicon Co., შპს. Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა ნაწილის ნომერი : ? ფორმა : SIMM ფუნქციები : 72pin, EDO DRAM, არაპარიტული მეხსიერების მოცულობა : 16MB გამტარობა : 32ბიტის სიჩქარე : 60ns(tRAC) Ვოლტაჟი : 5V ჩიპის შემადგენლობა : GM71C17400CJ6 × 8 ჩიპის აშენების წელი/კვირა : 1998/27 ერთი ჩიპის ტევადობა : 4მ […]

მწარმოებელი : Hyundai Electronics Industries Co., შპს. აშენების წელი : 1994 Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეა ნაწილის ნომერი : HYM532100AM-70 ფორმის ფაქტორი : SIMM მეხსიერების ტიპი : EDO DRAM მეხსიერების მოცულობა : 4MB ავტობუსის ტიპი : სწრაფი გვერდის მეხსიერება (FPM) შეცდომის გამოსწორება : არაპარიტეტული ქინძისთავები : 72pin გამტარუნარიანობა : 32ბიტი შეყოვნება : 70ns (tRAC) Ვოლტაჟი […]

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Მწარმოებელი კომპანია : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეის მოდულის მახასიათებლები : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

EDO DRAM-ს აქვს დროებითი მეხსიერების სივრცე უფრო სწრაფი მონაცემების I/O-სთვის. ის ეფექტურია, როდესაც სისტემა ვერ იღებს ქეში მეხსიერების მხარდაჭერას. მაგრამ თუ სისტემას აქვს ქეში მეხსიერება, EDO DRAM-ის ეფექტი მცირეა. მწარმოებელი : Hyundai Electronics Industries Co., შპს. აშენების წელი / კვირა : 1997/32 Მწარმოებელი ქვეყანა : კორეა (სამხრეთ კორეა) Ნაწილი ნომერი […]