Samsung 4GB PC3-10600 DDR3 SDRAM SO-DIMM
გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR3 SDRAM | გამოქვეყნდა 2015-03-02
3
Samsung Electronics- მა ივლისში გამოუშვა DDR3 SDRAM მოდულები 30 ნმ პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით 2010. RAM- ის ეს მოდული დამზადებულია 40 ნმ პროცესის ტექნოლოგიით.
Პროდუქტის სახელი | Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) |
---|---|
მწარმოებელი | Samsung Electronics (წ) |
Მწარმოებელი ქვეყანა | China |
აშენება წელი / კვირაში | 2011/13 |
მონაცემთა მოცულობა | 4GB |
Საათის სიჩქარე | 1333მჰც (PC3-10600) |
მეხსიერების დრო | CL = 9, tRCD = 9, tRP = 9 |
მახასიათებლები | 204pin, სოდიმმი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM |
წარმოების პროცესის ტექნოლოგია | 40ნმმ |
მონაცემთა ბიტი | x64 |
შიდა მოდულის ბანკები | 8 |
წოდებები | 2 |
მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა | 256მ x 8 * 16 ცალი |
კომპონენტის გადასინჯვა | 2გბ, გ-ის |
პაკეტი | 78 ბურთი FBGA |
სიმაღლე | 30mm |
VDD ძაბვა | 1.5V |
ოპერაციული Case ტემპერატურის დიაპაზონი | 0° C ~ 85 ° C |
მე მსურს ვიყიდო ეს მეხსიერება.
გამარჯობა,
როგორ შემიძლია შეუკვეთოთ ერთი ასეთი?
Გმადლობთ!
ვგეგმავდი ამ მოდულის ერთ-ერთ შეძენას
Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4 GB SO-DIMM
(2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9)