Samsung 2GB DDR3 SDRAM DIMM PC3-10600 1333MHz (1RX8, China)

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR3 SDRAM | გამოქვეყნდა 2013-01-09

6

Samsung DDR3 SDRAM 2GB 1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9

პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 2GB მეხსიერება (1Rx8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) მწარმოებელი Samsung Electronics მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2010/38 მონაცემთა მოცულობა 2 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) აქვს 240 პინი, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 40nm მონაცემთა ბიტი x64 შიდა მოდულის ბანკები 8 მონაცემთა ჩიპის შემადგენლობა [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 ჩიპები […]

Კითხვის გაგრძელება

UMC Sync Cache მოდული 256KB (მილსადენის ნაკადი ქეში, Სანაპირო)

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული SRAM | გამოქვეყნდა 2013-01-05

2

UMC Sync Cache Module 256KB წინა მხარეს (მილსადენის ნაკადი ქეში)

ბევრი მთავარი დაფა, ადრეული პენტიუმის პროცესორის მხარდაჭერა, ჩვეულებრივ ჰქონდა სინქრონიზებული ქეში მეხსიერების ჩიპები, როგორც CPU L2 ქეში. ეს სინქრონიზაციის ქეში მოდული(Სანაპირო; ქეში ჯოხზე) არის გარე მეხსიერების მოდული, რომელიც გამოიყენება როგორც CPU L2 დამატებითი ქეში. ის მაქსიმალურად ზრდის პროცესორის მუშაობას, სანამ პროცესორი ელოდება ინსტრუქციებს ან მონაცემებს. L2 ქეში გამოიყენება მუშაობისთვის […]

Კითხვის გაგრძელება

A-DATA Vitesta 512 DDR600 DIMM (PC4800)

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR SDRAM | გამოქვეყნდა 2012-10-25

0

A-DATA Viesta DDR600 Viesta მეხსიერება, DDR SDRAM მეხსიერების მოდულებში, პირველად მიაღწია 600Mhz საათის სიჩქარეს Samsung TCCD მეხსიერების ჩიპებით. A-data Viesta-ს მონაცემთა მოცულობა იყო 512 მბ ან 256 მბ. მას ძირითადად იყენებდნენ ოვაკრიკულაციისთვის.   პროდუქტის დასახელება A-DATA Vitesta DDR600 512MB ნაწილის ნომერი MDOSSLF3H47A0B1G0Z მწარმოებელი A-DATA მწარმოებელი ქვეყანა ტაივანი აგების წელი 2004 აქვს 184 პინიანი Unbuffer […]

Კითხვის გაგრძელება

Samsung 1MB DRAM 30pin SIMM

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული Original DRAM | გამოქვეყნდა 2012-05-18

1

Samsung 1MB DRAM SIMM უკანა მხარეს (KMM591000AN-7, KMM591000BN-7) (KM44C1000AJ-7, KM44C1000BJ-7)

KMM591000AN-7 is composed two KM44C1000AJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. KMM591000BN-7 is composed with two KM44C1000BJ-7 chips and one KM44C1000CJ-7 chip. They are 1MB DRAM SIMMs produced by Samsung Electronics. Მწარმოებელი კომპანია : Samsung Electronics Manufactured Year : 1992 / 1993 Მწარმოებელი ქვეყანა : სამხრეთ კორეის მოდულის მახასიათებლები : 30pin, SIMM, Parity RAM Memory Capacity […]

Კითხვის გაგრძელება

Elpida 2GB DDR3 SDRAM SO-DIMM PC3-10600S-9-10-F1

გამოგზავნილია DeviceLog.com | გამოქვეყნებული DDR3 SDRAM | გამოქვეყნდა 2012-03-09

6

Elpida DDR3 2GB 2Rx8 PC10600-9-10-F1 Frontside

Პროდუქტის სახელი : ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 ნაწილის ნომერი : EBJ21UE8BFU0-DJ-F მწარმოებელი : ELPIDA მწარმოებელი ქვეყანა : ტაივანი აშენების წელი/კვირა : 2010/38 ფორმა : DDR3 SO-DIMM მახასიათებლები : 204pin, არა-ECC მეხსიერების მოცულობა : 2GB მაქსიმალური მონაცემთა სიჩქარე : 1333Mbps ძაბვა : 1.5V ორგანიზაცია : 256M სიტყვა × 64 bits, 2 წოდება Chip Composition : J1108BFBG-DJ-F […]

Კითხვის გაგრძელება