მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (PC4-2666V-UA2-11) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 (გ-ის) მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 2018 / 28 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (მაქსიმალური გამტარობა) 2666.67 MT / s (21333.33 მბ / წმ) მეხსიერების დრო (CL – tRCD – tRP – შემდეგ – tRC) 19-19-19-43-61 მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6, მუდმივი ბმული EK მეხსიერება 2 GB DDR2 SO-DIMM PC2-5300 CL5 EKM256S74BP8-E6 […]

DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე 2009/04, 2010/07 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე) DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე 8 წოდებები 2 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე […]

DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (2RX8, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, M378B1G73QH0-CK0) DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე 2014/08 DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე (DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე) DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, DIMM ტიპი UDIMM მონაცემთა ტევადობა 8 გბ მონაცემთა სიხშირე, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 20, 30, 40Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM წარმოების პროცესის ტექნოლოგია 8 წოდებები […]

The M368L6423DTM is 32M bit x 64 Double Data Rate(DDR) SDRAM high density memory module based on fifth genernation of 256Mb DDR SDRAM respectively. The M368L6423DTM consists of sixteen CMOS 32M x 8 bit with 4banks Double Data Rate SDRAMs in 66pin TSOP-II(400mil) packages mounted on a 184pin glass-epoxy substrate. Four 0.1uF decoupling capacitors are […]

Samsung Electronics- მა ივლისში გამოუშვა DDR3 SDRAM მოდულები 30 ნმ პროცესის ტექნოლოგიის გამოყენებით 2010. RAM- ის ეს მოდული დამზადებულია 40 ნმ პროცესის ტექნოლოგიით. პროდუქტის დასახელება Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 4GB SO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) მწარმოებელი Samsung Electronics (წ) მწარმოებელი ქვეყანა ჩინეთი აშენების წელი/კვირა 2011/13 მონაცემთა მოცულობა 4 GB საათის სიჩქარე 1333 Mhz (PC3-10600) მეხსიერების დრო […]