商品名 : サムスンSDHCクラス 10 必須の32GBモデル名 : MB-SSBGA / KRメーカー : サムスン電子製造国 : 韓国メモリタイプ : SDHCサイズ : 32mm x 24mm x 2.1mmデータ容量 : 32GB (2923ジブ, 29927MIB) スピードを読みます : マックス. 24MB / s書き込み速度 : マックス. 13MB / s許容電圧 : 2.7 〜3.6V […]

製品名サムスン4GBのDDR3 SDRAM PC3-10600メモリ (2RX8, PC3-10600U-09-10-A0, M378B5273DH0-CH9, M378B5273DH1) メーカーサムスン電子 (SEC) 製造韓国ビルド年/週の国 2011/31 データ容量4ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) メモリタイミングCL = 9, tRCD = 9, tRPの= 9は、240pin機能します, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMMのデータビットのx64の深さ / ビット構成の512M / x8の内部モジュール […]

製品名サムスンDDR3 SDRAM PC3-10600 2ギガバイトのメモリ (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) 製造は中国のメーカーサムスン電子国ビルド年/週 2010/38 データ容量2ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) 240pin機能, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMM生産プロセス技術は40nmデータビットのx64内部モジュール銀行 8 データチップ組成 [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 チップス […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viestaメモリ, DDR SDRAMメモリモジュール, Samsung TCCDメモリチップで600Mhzのクロック速度を初めて達成. A-data Viestaのデータ容量は512MBまたは256MBでした. 主にovcrclockingに使用されていました.   製品名A-DATAVitesta DDR600512MB部品番号MDOSSLF3H47A0B1G0ZメーカーA-DATA製造国台湾製造年 2004 184ピンアンバッファ機能 […]

KMM591000AN-7は、二つのKM44C1000AJ-7チップと一つKM44C1000CJ-7チップで構成されています. KMM591000BN-7は、二つKM44C1000BJ-7チップと一つKM44C1000CJ-7チップで構成されています. 彼らは、サムスン電子によって生成さ1メガバイトDRAM SIMMのです. マニュファクチャリング・カンパニー : サムスン電子製造年 : 1992 / 1993 製造国 : 韓国モジュールの機能 : 30ピン, SIMM, パリティRAMメモリ容量 […]