製品名サムスンDDR4 SDRAM 8ギガバイト1R×8 PC4-21300 (PC4-2666V-UA2-11) 部品番号M378A1K43CB2-CTD (C-) 製造は中国のメーカーサムスン電子カントリー年/週を構築 2018 / 28 DIMMタイプUDIMMデータ容量8ギガバイトデータレート (最大帯域幅) 2666.67 MT/s (21333.33 MB/s) メモリのタイミング (CL – tRCD – tRPの – tRAS – TRC) 19-19-19-43-61 288pin機能, アンバッファードECC […]

製品名SamsungDDR2 SDRAM2GB2R×8PC2-6400部品番号M378T5663QZ3-CF7メーカーSamsungElectronics製造国中国製造年/週 2009/04, 2010/07 メモリモジュールタイプDIMMデータ容量2GBクロック速度800Mhz (PC2-6400) メモリタイミングCL = 6, tRCD = 6, tRP = 6機能240ピン, Unbuffer Non-ECC DDR2 SDRAMDIMMデータビットx64内部モジュールバンク 8 ランク 2 データ […]

製品名サムスン8ギガバイトDDR3 SDRAM PC3-12800 8GBのDIMM (2RX8, PC3-12800U-11-12-B1, M378B1G73QH0-CK0) 製造フィリピンのビルド年/週のメーカーサムスン電子の国 2014/08 データ容量8ギガバイトのクロック速度1600Mhz (PC3-12800) メモリタイミングCL = 11, tRCD = 11, tRPの= 11は、240pin機能します, バッファー解除非ECC DDR3 SDRAM DIMM生産プロセス技術 20, 30, 40nmのデータビットのx64内部モジュール銀行 8 ランク […]

M368L6423DTMは32Mビットx 64 ダブルデータレート(DDR) それぞれ256Mb DDR SDRAMの第5世代に基づくSDRAM高密度メモリモジュール. M368L6423DTMは、16個のCMOS 32M xで構成されています 8 66ピンTSOP-IIの4バンクダブルデータレートSDRAMのビット(400千) 184pinガラスエポキシ基板に実装されたパッケージ. 4つの0.1uFデカップリングコンデンサは […]

サムスン電子は7月に30nmのプロセス技術を使用してDDR3 SDRAMモジュールを発売しました 2010. このRAMモジュールは、40nmプロセス技術で作られました. 製品名サムスンDDR3 SDRAM PC3-10600 4ギガバイトSO-DIMM (2RX8, PC3-10600S-09-10-F2, M471B5273CH0-CH9) メーカーサムスン電子 (SEC) 製造は中国の国ビルド年/週 2011/13 データ容量4ギガバイトクロックスピード1333 (PC3-10600) メモリのタイミング […]