Nome del prodotto Samsung SDRAM DDR3 PC3-10600 da 2 GB di memoria (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Produttore Samsung Electronics Paese di produzione in Cina Costruito / Settimana 2010/38 Capacità dati 2GB Orologio 1333Mhz velocità (PC3-10600) Caratteristiche 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Tecnologia di produzione processo produttivo a 40nm Bit di dati banche x64 modulo interno 8 Composizione chip di dati [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 patatine fritte […]

nome del prodotto : ELPIDA 2GB 2RX8 PC3-10600S-9-10-F1 Part Number : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Costruttore : ELPIDA Paese di produzione : Taiwan Costruito nel / Settimana : 2010/38 Fattore di forma : DDR3 SO-DIMM Caratteristiche : 204perno, Capacità di memoria non-ECC : 2GB Max Data Rate : 1333Mbps Tensione : 1.5V Organizzazione : 256M parole × 64 bit, 2 ranghi Chip Composizione : J1108BFBG-DJ-F […]

EDO DRAM ha spazio di memoria temporaneo per I/O dati più veloci. È efficace quando il sistema non può ricevere il supporto della memoria cache. Ma se il sistema ha memoria cache, l'effetto di EDO DRAM è piccolo. fabbricante : Hyundai Electronics Industries Co., Ltd. Costruito nel / Settimana : 1997/32 Paese di Produzione : Corea (Corea del Sud) Numero di parte […]

Questo SIMM placcato con colore dorato. Il colore della placcatura e la forma della scheda di questa SIMM sono diversi dalla SIMM con GM71C4400A. GM71C4400B è 1 M × 4 bit. E GM71C1000B è 1 M × 4 bit. La capacità di memoria e la funzione di questa SIMM non è diversa dalla SIMM con GM71C4400A e GM71C1000. Produzione […]

Goldstar è il marchio commerciale di Goldstar Electron Co., Ltd. Ha cambiato il suo nome in LG Semiconductor (LG Semicon) a 1995, ed è stata fusa nel settore dell'elettronica Hyundai (Hynix di adesso) a 1999. Azienda manifatturiera : Goldstar Electron Anno di produzione: 1993 Paese di Produzione : Caratteristiche del modulo Corea del Sud : 30perno, DRAM, SIMM, RAM di parità […]