Samsung 16GB DDR4 UDIMM 2RX8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) (M378A2K43CB1-CTD)
Pubblicato da DeviceLog.com | pubblicato in DDR4 | postato su 2019-11-06
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nome del prodotto | Samsung DDR4 16GB 2R × 8 PC4-21300 (PC4-2666V-UB1-11) |
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Numero di parte | M378A2K43CB1-CTD (C-il) |
fabbricante | Samsung Electronics |
Paese di Produzione | Cina |
Costruito nel / Settimana | 2019 / 06 |
tipo di DIMM | Udinn |
Capacità dati | 16GB |
Data Rate (Max larghezza di banda) |
2666.67 MT / s (21333.33 MB / s) |
Timing memoria (CL – tRCD – tRP – tRAS – TRC) |
19-19-19-43-61 |
Caratteristiche | 288perno, Unbuffer Non-ECC DDR4 SDRAM DIMM |
Bit di dati | x64 |
Modulo interni delle banche | 16 Banche (4 Gruppi bancari) |
Ranks | 2 (dual Rank) |
Composizione componente | (1G × 8) × 16 (K4A8G085WC-BCTD) × 16 |
Pacchetto | 78FBGA con piombo & Senza alogeno (A norma RoHS) |
Altezza | 31.25 mm |
VDD Voltage | 1.2 V ± 0.06 V |
Caso Temperatura di esercizio Gamma | Media Refresh Periodo 7.8us in basso allora TASTUCCIO 85℃, 3.9noi a 85 ℃ < TASTUCCIO ≤ 95 ℃ |
Ciao, Proprietari di Samsung RAM! Annulla l'iscrizione, per questo modello, come sta con i3 10100f?