Nama produk Samsung DDR3 SDRAM PC3-10600 Memori 2GB (1RX8 PC3-10600U-09-10-A0 M378B5773CH0-CH9 M378B5263DH1) Produsen Samsung Electronics Negara pembuatan China Build tahun / minggu 2010/38 Kapasitas Data 2GB Clock speed 1333Mhz (PC3-10600) Fitur 240pin, Unbuffer Non-ECC DDR3 SDRAM DIMM Teknologi proses produksi 40nm Data bits x64 Modul internal bank 8 Komposisi Chip Data [SEC HCH9 K4B2G0846C] ✕ 8 keripik […]

Banyak mainboard, mendukung CPU pentium awal, biasanya memiliki chip memori cache sinkronisasi sebagai cache CPU L2. Modul cache sinkronisasi ini(Pantai; Cache On A Stick) adalah modul memori eksternal yang digunakan sebagai cache L2 CPU tambahan. Ini memaksimalkan kinerja prosesor saat prosesor menunggu instruksi atau data. Cache L2 digunakan untuk operasi […]

A-DATA Vitesta DDR600 Viesta Memory, dalam modul memori DDR SDRAM, pertama mencapai kecepatan clock 600Mhz dengan chip memori Samsung TCCD. Kapasitas data A-data Viesta adalah 512MB atau 256MB. Itu sebagian besar digunakan untuk ovcrclocking.   Nama Produk A-DATA Vitesta DDR600 512MB Nomor Komponen MDOSSLF3H47A0B1G0Z Pabrikan A-DATA Negara produsen Taiwan Build Year 2004 Fitur 184pin Unbuffer […]

KMM591000AN-7 terdiri dari dua chip KM44C1000AJ-7 dan satu chip KM44C1000CJ-7. KMM591000BN-7 terdiri dari dua chip KM44C1000BJ-7 dan satu chip KM44C1000CJ-7. Mereka adalah SIMM DRAM 1MB yang diproduksi oleh Samsung Electronics. Perusahaan manufaktur : Tahun Pembuatan Elektronik Samsung : 1992 / 1993 Negara Produsen : Fitur Modul Korea Selatan : 30pin, SIMM, Kapasitas Memori RAM Paritas […]

nama Produk : Nomor Bagian ELPIDA 2GB 2Rx8 PC3-10600S-9-10-F1 : EBJ21UE8BFU0-DJ-F Produsen : ELPIDA Negara pembuatan : Tahun / Minggu Bangun Taiwan : 2010/38 Form Factor : Fitur SO-DIMM DDR3 : 204pin, Kapasitas Memori Non-ECC : 2Kecepatan Data Max GB : 1333Tegangan Mbps : 1.5V Organisasi : 256kata M × 64 bit, 2 peringkat Komposisi Chip : J1108BFBG-DJ-F […]