Samsung 512MB PC3200 DDR SDRAM DIMM (CL3, ոչ իսկական RAM)

Տեղադրվել է DeviceLog.com | Տեղադրված է DDR SDRAM | Տեղադրվել է 2013-03-13

3

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 (ոչ իսկական RAM)

Samsung DDR 512MB PC3200U-30331-B2 CL3 underside (ոչ իսկական RAM)

  • Ապրանքային անուն : Samsung DDR SDRAM 512MB PC3200 (non-genuine parts)
  • Part number : PC3200U-30331-B2 M368L6423ETM-CCC
  • Արտադրող : Samsung Electronics (SEC)
  • Արտադրման երկիր : Հարավային Կորեա
  • Կառուցել տարի/շաբաթ : 2003/33
  • Տվյալների հզորություն : 512ՄԲ
  • Ժամացույցի արագություն : 400Մհց (PC3200)
  • Հատկություններ : 184քորոց, Unbuffered Non-ECC DDR SDRAM DIMM
  • Տվյալների չիպի կազմը : [SEC K4H560838E-TCCC] ✕ 8 չիպսեր
  • Data banks : 4 banks
  • Refresh interval : 7.8μs (8K/64ms refresh)
  • Read latancy : 3 clock (CL3)
  • Burst length : 2, 4, 8
  • Burst type : sequential & interleave
  • Maximum burst refresh cycle : 8
  • VDD, VDDQ : 2.6V ± 0.1V

Մեկնաբանություններ (3)

Is this ddr 1???

Thank you and good luck.

Գրեք մեկնաբանություն